|
Поиск Datasheets |
|
L810HW-R82MF |
HIGH CURRENT MOLDED POWER INDUCTORS |
Superworld Electronics |
|
|
L810HW-R82MF Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
L810HW-R82MF и другие |
|
Компонент | Описание | Производитель | PDF |
MC1GU256HBVB-0QC00 |
MultiMediaCard Specification |
Samsung semiconductor |
|
JANS1N4100 |
SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES |
Microsemi Corporation |
|
MC1GU256HDVA-0QC00 |
MultiMediaCard Specification |
Samsung semiconductor |
|
GE32C3 |
UM-1, UM-4, UM-5 Microprocessor Crystal |
Caliber Electronics Inc. |
|
70287-1132 |
2.54mm (.100") Pitch C-Grid^ Header, Breakaway, Dual Row, Vertical, with RetentionPin, 72 Circuits, 6.10mm (.240") Mating Pin Length, 0.38lm (15l") Gold (Au) Selective |
Molex Electronics Ltd. |
|
| |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|