 |
Поиск Datasheets |
|
|
M1206EFR-3-0.01-1-6.3-1 Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
M1206EFR-3-0.01-1-6.3-1 и другие |
|
| Компонент | Описание | Производитель | PDF |
| MGF0909A_11 |
High-power GaAs FET(small signal gain stage) |
Mitsubishi Electric Semiconductor |
 |
| PIIPM50R12M004X |
Programmable Isolated IPM |
International Rectifier |
|
| NAND256R3A2AZB1 |
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
STMicroelectronics |
|
| MPSA28 |
NPN Darlington Transistor |
Fairchild Semiconductor |
|
| PIMD2 |
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 kW, R2 = 22 kW |
NXP Semiconductors |
|
|  |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|
|
