Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Поиск Datasheets
Мой поиск: KM416S1120DT-G/F10


KM416S1120DT-G/F10
512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL
Samsung semiconductor

KM416S1120DT-G/F10 Datasheet

KM416S1120DT-G/F10 - 512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL by SAMSUNG

KM416S1120DT-G/F10 datasheet - 512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL


 

Название/Part No:
KM416S1120DT-G/F10

Описание/Description:
512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL

Производитель/Maker:
Samsung semiconductor (SAMSUNG)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу

KM416S1120DT-G/F10 и другие

КомпонентОписаниеПроизводительPDF
OPA130_07
Low Power, Precision FET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS
Texas Instruments
HGN-367A01S-26-2DT
FUSED WITH DISTANCE SWITCH, IEC 60320 POWER INLET SOCKET WITH FUSE/S (5X20MM)
PowerDynamics, Inc
QST608CN0
Capacitive touch sensor device 8 keys with individual key state outputs or I2C interface
STMicroelectronics
LMUN2132LT3G
Bias Resistor Transistors
Leshan Radio Company
ISM61-7665EO-20.000
9 mm x 14 mm Plastic Package SMD Oscillator, TTL / HC-MOS
ILSI America LLC
Datasheet's на KAZUS.RU

• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей


Реклама на сайте




© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»