Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Поиск Datasheets
Мой поиск: MGF0906B_11


MGF0906B_11
High-power GaAs FET (small signal gain stage)
Mitsubishi Electric Semiconductor

MGF0906B_11 Datasheet

MGF0906B_11 - High-power GaAs FET (small signal gain stage) by MITSUBISHI

MGF0906B_11 datasheet - High-power GaAs FET (small signal gain stage)


 

Название/Part No:
MGF0906B_11

Описание/Description:
High-power GaAs FET (small signal gain stage)

Производитель/Maker:
Mitsubishi Electric Semiconductor (MITSUBISHI)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу

MGF0906B_11 и другие

КомпонентОписаниеПроизводительPDF
PTZ3.9B
Zener diode
Rohm
PTZ30B
Zener diode
Rohm
KL2G470LR
CHIP TYPE, 5000 HOURS LOAD LIFE
DB Lectro Inc
Y-CONC-UA42F-UB4CU-2000-F
IP67/68/69K Protected Components
YAMAHA CORPORATION
MGF0909
L,S BAND POWER GaAs FET
Mitsubishi Electric Semiconductor
Datasheet's на KAZUS.RU

• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей


Реклама на сайте




© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»