 |
Поиск Datasheets |
|
| GS832136E-200I |
2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
GSI Technology |
 |
|
GS832136E-200I Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
GS832136E-200I и другие |
|
| Компонент | Описание | Производитель | PDF |
| NCV8702MX30TCG |
200 mA, Ultra-Low Quiescent Current, Ultra-Low Noise, LDO Linear Voltage Regulator |
ON Semiconductor |
|
| GS8322ZV18GE-200I |
36Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
GSI Technology |
|
| ND431625 |
POW-R-BLOK Dual SCR Isolated Module (250 Amperes / Up to 1600 Volts) |
Powerex Power Semiconductors |
|
| M28F256-12XC3TR |
256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY |
STMicroelectronics |
|
| ND431821 |
POW-R-BLOK Dual SCR Isolated Module (210 Amperes / Up to 2000 Volts) |
Powerex Power Semiconductors |
|
|  |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|
|
