Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Поиск Datasheets
Мой поиск: KM418RD8AC-RG60


KM418RD8AC-RG60
256K x 18 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, speed: 600 Mbps(300 MHz).
Samsung semiconductor

KM418RD8AC-RG60 Datasheet

KM418RD8AC-RG60 - 256K x 18 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, speed: 600 Mbps(300 MHz). by SAMSUNG

KM418RD8AC-RG60 datasheet - 256K x 18 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, speed: 600 Mbps(300 MHz).


 

Название/Part No:
KM418RD8AC-RG60

Описание/Description:
256K x 18 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, speed: 600 Mbps(300 MHz).

Производитель/Maker:
Samsung semiconductor (SAMSUNG)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу

KM418RD8AC-RG60 и другие

КомпонентОписаниеПроизводительPDF
KM418RD8AD-RG60
256K x 18 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, speed: 600 Mbps(300 MHz).
Samsung semiconductor
KM418RD8AC-RK70
256K x 18 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 45 ns, speed: 711 Mbps(356 MHz).
Samsung semiconductor
KM418RD8AD-RK70
256K x 18 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 45 ns, speed: 711 Mbps(356 MHz).
Samsung semiconductor
KM418RD8AC-RK80
256K x 18 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 45 ns, speed: 800 Mbps(400 MHz).
Samsung semiconductor
KM418RD8AD-RK80
256K x 18 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 45 ns, speed: 800 Mbps(400 MHz).
Samsung semiconductor
Datasheet's на KAZUS.RU

• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей


Реклама на сайте




© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»