Результаты поиска для 88186

Компонент	Описание	Производитель	PDF	Buy
K4R881869	288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM	Samsung semiconductor
K4R881869D	256/288Mbit RDRAM(D-die)	Samsung semiconductor
K4R881869I-DC	Direct RDRAM Product Guide	Samsung semiconductor
K4R881869M	288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM	Samsung semiconductor
K4R881869M-NBCCG6	288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM	Samsung semiconductor
K4R881869M-NCG6	512K x 18 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, I/O freq.: 600 MHz.	Samsung semiconductor
K4R881869M-NCK7	288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM	Samsung semiconductor
K4R881869M-NCK8	288Mbit RDRAM 512K x 18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM	Samsung semiconductor

Поиск занял 0.0147 сек.

Страница 1 из 1