Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Поиск Datasheets
Мой поиск: KM416V1204CJ-60


KM416V1204CJ-60 DATASHEET

КомпонентОписаниеПроизводительPDFBuy
KM416V1204CJ-60
1M x 16Bit CMOS dynamic RAM with extended data out, 60ns, VCC=3.3V, refresh period=16ms
Samsung semiconductor

*KM416V1204C*: Расширенные результаты

КомпонентОписаниеПроизводительPDFBuy
KM416V1204C
1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
Samsung semiconductor
KM416V1204C-45
1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
Samsung semiconductor
KM416V1204C-5
1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
Samsung semiconductor
KM416V1204C-6
1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
Samsung semiconductor
KM416V1204C-L45
1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
Samsung semiconductor
KM416V1204C-L5
1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
Samsung semiconductor
KM416V1204C-L6
1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
Samsung semiconductor
KM416V1204CJ-45
1M x 16Bit CMOS dynamic RAM with extended data out, 45ns, VCC=3.3V, refresh period=16ms
Samsung semiconductor
KM416V1204CJ-5
3.3V, 1M x 16 bit CMOS DRAM with extended data out, 50ns
Samsung semiconductor
KM416V1204CJ-50
1M x 16Bit CMOS dynamic RAM with extended data out, 50ns, VCC=3.3V, refresh period=16ms
Samsung semiconductor
KM416V1204CJ-6
3.3V, 1M x 16 bit CMOS DRAM with extended data out, 60ns
Samsung semiconductor
KM416V1204CJ-60
1M x 16Bit CMOS dynamic RAM with extended data out, 60ns, VCC=3.3V, refresh period=16ms
Samsung semiconductor
KM416V1204CJ-L5
3.3V, 1M x 16 bit CMOS DRAM with extended data out, 50ns
Samsung semiconductor
KM416V1204CJ-L6
3.3V, 1M x 16 bit CMOS DRAM with extended data out, 60ns
Samsung semiconductor
KM416V1204CJL-45
1M x 16Bit CMOS dynamic RAM with extended data out, 45ns, VCC=3.3V, self-refresh
Samsung semiconductor
KM416V1204CJL-50
1M x 16Bit CMOS dynamic RAM with extended data out, 50ns, VCC=3.3V, self-refresh
Samsung semiconductor
KM416V1204CJL-60
1M x 16Bit CMOS dynamic RAM with extended data out, 60ns, VCC=3.3V, self-refresh
Samsung semiconductor
KM416V1204CT-45
1M x 16Bit CMOS dynamic RAM with extended data out, 45ns, VCC=3.3V, refresh period=16ms
Samsung semiconductor
KM416V1204CT-5
3.3V, 1M x 16 bit CMOS DRAM with extended data out, 50ns
Samsung semiconductor
KM416V1204CT-50
1M x 16Bit CMOS dynamic RAM with extended data out, 50ns, VCC=3.3V, refresh period=16ms
Samsung semiconductor
 Поиск занял 0.0179 сек.
Страница 1 из 212



© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»