Электронная нагрузка

alvadep · 05.04.2015, 22:48

Уже несколько раз упоминал в разных темах некую электронную нагрузку (здесь, здесь, здесь и здесь).
Делал под свои нужды. Более-менее свел все воедино. Ежели чего, сильно не пинайте. В общем, как-то так.

ForcePoint · 06.04.2015, 01:03

У Леодина Иваныча - несколько другое мнение насчёт MOSFET'a в линейном режиме: http://leoniv.livejournal.com/228001.html

estet · 06.04.2015, 01:05

alvadep, у меня вопрос. Как мосфит не деградирует в линейном режиме?

alvadep · 06.04.2015, 09:44

ForcePoint, не вижу ни каких противоречий с тем, что пишет уважаемый человек. В моем варианте мосфет работает в ОБР, о чем могут свидетельствовать графики.

estet, и в чем должна выражаться деградация? Опять же отошлю к графикам. Ток стабильный, никто никуда не плывет. Все как положено.
Со временем будем посмотреть.

lehers · 06.04.2015, 15:29

здорово сделано

Только, как я понял, режим у нагрузки всего один - режим фиксированного тока. Получается, это больше тестер АКБ, а не полноценная (когда есть режим фиксированного сопротивления, и фиксированного напряжения) нагрузка?

alvadep · 06.04.2015, 16:45

Изначально и задумывалось это устройство для тестирования АКБ. Но что мешает его использовать для тестирования вторичных источников питания? Да, автоматического режима фиксированного сопротивления, напряжения или мощности нет, но это все можно имитировать вручную (ориентируясь по графикам, которые рисуются в реальном времени), тем более, что задавать ток можно не отключая нагрузки от источника (пример).

laser532 · 06.04.2015, 17:39

Про MOSFETs. Их структурное устройство таково, что теплопроводность сток-подложка высокая по сравнению с БПТ. У многих производителей есть целые линейки, оптимизированные для работы в линейном, ежели простите за каламбур, режиме. Если не нарушается ОБР, то вообще какая разница? Из общих соображений надо выбирать полевик тормознутый, не с низким порогом открытия и кристаллом большой площади. Часто высоковольтные на большие токи соответствуют этим требованиям. Ну, и, наконец, знаю несколько изделий с тиражами около (скорее более) 100 тысяч, где MOSFET в линейном режиме трудится.

estet · 06.04.2015, 20:53

Сообщение от alvadep

и в чем должна выражаться деградация?

https://kazus.ru/forums/showpost.php...4&postcount=14

Тут пишут, что реальная ОБР может не совпадать с желаемой. Там что-то о тепловых пятнах.

alvadep · 06.04.2015, 23:47

А кто сказал, что IRL3803 сделан по технологии Trench Mosfet?
На оф.сайте утверждают, что IRL3803V Planar Mosfet.
А вот IRF540 действительно есть в двух вариантах (Trench Mosfet, Planar Mosfet).

estet · 07.04.2015, 00:18

Сообщение от alvadep

На оф.сайте утверждают, что

IRL3803 - это HEXFET Power MOSFET, т.е. все сказанное в полной мере его касается.

Цитата:

Структура HEXFET подразумевает организацию в одном кристалле тысяч параллельно-включенных МОП-транзисторных ячеек, образующих шестиугольник. Такое решение позволило существенно снизить сопротивление открытого канала RDS(on) и сделало возможным коммутацию больших токов.

Источник.
Давайте посмотрим картинку "Fig 3. Typical Transfer Characteristics", по которой видно, что термостабилизация кристалла наступает при токах › 80 A, т.е. никогда. По крайней мере, мне так показалось. Возможно, ошибаюсь.