максимально допустимый ток через MOSFET

[dgrishin]

Добрый день,
Экспериментирую с MOSFET ами в двухтактном усилителе RF и очередь дошла до IRL3714ZPBF (выбор был сделан на нём т. к. мне нужно максимально низкое пороговое напряжение затвор-исток -у него 2в)
Устанавливал ток покоя и хотел посмотреть насколько транзисторы работают при токе покоя несколько ампер. Раздались щелчки релюшек в лабораторном блоке питания и сработала зашита от превышения по току. Один из транзисторов сгорел нах (сток исток КЗ).
Внимание вопрос - как это вообще могло произойти, если лабораторный блок питания не может выдать больше 5А, а допустимый постоянный ток для этих транзтсторов 36А при 25градусах?
Транзисторы установены на радиаторах и даже нагрется не успели и один накрылся. Сижу и думаю что это было.

ЗЫ1:Аналогично пробовал другие транзисторы в этом же усилителе(IRFZ24N, IRF510) - они работали как надо (но у них пороговое напряжение 4В).

ЗЫ2:после того, как сгорел один транзистор (я посчитал это случайностью), я отключил одно плечо с дохлым транзистором и подал тестовый сигнал и стал поднимать входное напряжение - ВТОРОЙ ТРАНЗИСТОР поработал немного и ТОЖЕ СГОРЕЛ!!) Амплитуда тока на выходе была около 1А - т. е. вообще ниочем.
Радиатор все время оставался холодным.

Есть какие нибудь мысли?

[dgrishin]

Чтобы было понятнее, во так выгдядит моя макетка -

[estet]

насколько транзисторы работают при токе покоя несколько ампер.

Ни насколько. Нет у них тока покоя.
Кстати, бегло просмотрел IRFZ24N - только у одного производителя, NXP (Philips) есть ток покоя.
https://zen.yandex.ru/media/id/5b935...a06000affd5022
https://kazus.ru/forums/showthread.php?t=524#

[NewWriter]

А вы случаем MOSFETы не путаете ли с обычными FET-ами? Мосфеты так то работают в ключевом режиме, и при этом они имеют небольшое сопротивление открытого канала. В лучших образцах оно составляет несколько миллиом.
Или у вас там эксперименты по уничтожению транзисторов чтоль? А, ну коль так, тогда не буду мешать, извините.

[dgrishin]

Нет у них тока покоя.

Конечно MOSFET в заточены для работе в ключевом режиме. Но их можно также исползовать в линейном режиме (некоторые умудряются на них собирать УМЗЧ).

Почему IRFZ24NPBF работает а IRL3714ZPBF горит при одинаковых условиях??
Чувствую мне придётся сжечь еще горстку IRL3714ZPBF пока я не пойму в чем дело.

[dgrishin]

Мосфеты так то работают в ключевом режиме

На MOSFET ах давно уже собирают линейные усилители (по крайне мере RF диапазона). Конечно это недокументированная фича - но это работат и работает хорошо (правда в усилителях на MOSFET надо вводить ООС иначе он возбуждается).
Еще раз - как можно сжеч транзистор лабораторным БП с максимальным током 5А, что в разы ниже максимального тока транзистора??
Прям сейчас посетила идея - попробую поставить ограничительный резистор 0.5Ома, чтобы ток с БП никогда не превысил 12/0.5 = 24 А (что ниже максимально допустимого) и посмотрю как MOSFET себя поведёт

[NewWriter]

УМЗЧ класса D, так называемый "цифровой" - то есть высокочастотный ШИМ. Там мосфет работает в ключевом режиме. А те, кто пытаются сделать из МОСфета линейный полевик - горят в аду вместе с МОСфетами )))
У МОСфета очень узкая и очень нестабильная и неравномерная характеристика переходного режима, и она не так уж и линейна..

Про радиочастотный диапазон - мосфеты имеют весьма низкий порог частоты. Хотя конечно, если его загнать в область 27 МГц, то он начнет работать как полубиполярник с черт знает какими характеристиками. Посмотрите на ёмкость затвора. Вобщем, это примерно как звуковым динамиком от сабвуфера пытаться воспроизводить ультразвук.
Мало ли какую гадость навытворяют бестолковые "кулибины".

А что касается того, почему сгорел у вас мосфет - а тут ооочень всё просто. Посмотрите графики в даташите - называется Maximum Safe Operating Area - по нему увидите соотношение между током через канал и разностью напряжений Vds.
Большие токи маленького мосфета объясняются очень низким сопротивлением канала и низкой выделяемой мощностью на кристалле. P = I² * R или P = U * I. У вас получилось превышение по мощности на кристалле, а теплоотдача от кристалла на корпус не успела отвести тепло и кристалл сгорел. Классическая схема сгорания полупроводника - слишком быстрый локальный разогрев кристалла.

[estet]

Еще раз - как можно сжеч транзистор лабораторным БП с максимальным током 5А, что в разы ниже максимального тока транзистора??

Ну давайте еще раз. Если открыть даташитину производителя, а это у нас будет IR, то там среди всяко-разно непонятно-ненужной ерунды вроде максимальной мощности, макс. тока стока, вдруг внезапно встречается график ОБР. Вот он нам и нужен. Международный Выпрямитель однозначно говорит "Тот, кто превысит длительность импульса в 10 мс, ССЗБ и все дальнейшие действия - на ваш страх и риск!" А ваш случай особо тяжелый, не мс, и даже не с, а минуты.
Транзистор просто обязан сгореть в этих условиях. Чем он, собственно, и занимается.
Механизм сгорания - см. пост №3. много букв.

[dgrishin]

Если открыть даташитину производителя

Как тогда понимать следующие данные из даташита ??

Continuous Drain Current 36А

Pulsed Drain Current 140А.

Раз такие данные приводятся, значит MOSFET а можно использовать не только в импульсных схемах но и для коммутации постоянного тока (вместо мощных дарлингтонов). Так что у меня немного другое понимание даташита

[vg155]

не успела отвести тепло и кристалл сгорел.

dgrishin, вариант фейкового транзистора исключен?