Проверка RDSon MOSFET

[jump]

А какой смысл

смысла нет ни в чем

если разброс Rdson по ДШ бывает 25%

и добавьте ваши проценты... чем точнее прибор, тем вернее суждение об испытуемом

не стану делать схему, чтоб Вам что-то показать

не мне - себе, мне подобное не нужно, ОУ я и так знаю

[bordodynov]

Ну и как вам моя схема. Теоретически она позволяет измерять 0.1 мОма. Но практически это не имеет смысла, так как сила прижатия выводов транзистора будет влиять на контактное сопротивление. Можно избавиться от мОм, уменьшить ток до 100мА и измерять до 1 Ома (с тремя диапазонами 10 мОм, 100 мОм и 1 Ом).

[mike-y-k]

zoog, для подбора пар в мост точность совсем не помешает (первое, что всплыло из ассоциаций ). Если для ее достижения не нужно что-то запредельное, то она должна быть по максимуму.

[zoog]

и добавьте ваши проценты... чем точнее прибор, тем вернее суждение об испытуемом

Зачем, если

смысла нет ни в чем

?

ОУ я и так знаю

Но не скажу©

для подбора пар в мост точность совсем не помешает (первое, что всплыло из ассоциаций

Это где-то актуально?? Если имеется в виду полный пост на киловатты, то там баланс а) не достижим одной лишь подгонкой сопротивлений, б) достигается другими методами, при которых в) точность сопротивлений уже не нужна. Поправьте.

Если для ее достижения не нужно что-то запредельное, то она должна быть по максимуму.

2% - это максимум для мелкого микроамперметра, в 5 раз меньше разброса и прямых ограничения у аналоговой схемы в этом плане я не вижу.
И я не заставляю делать аналоговый вариант, это для неграмотных (не умеющих писать), сколько можно повторять.

[GTK31]

кривая зависимости RDSon от тока показывает часто разброс в разах, а не процентах при изменении тока на порядок.

этот вариант - не улучшение, а альтернатива для тех, кому не интересна зависимость Rdson от тока

Обратите внимание на график. При постоянном напряжении на затворе и при токе изменяющемся от 0 до примерно 30А (для какого то определенного транзистора) сопротивление канала изменяется в пределах 3 процентов. Таким образом достаточно корректные данные сопротивления канала можно получить при малых токах, существенно ниже номинального из таблиц датащита. Поэтому можно уйти от импульсного тока для оценочных измерений. Рисунок взял отсюда : http://microsin.net/adminstuff/hardw...-tutorial.html



У высоковольтных (Vds) транзисторов зависимость сопротивления канала от тока стока выражена гораздо сильнее чем у низковольтных. У последних сопротивление канала имеет очень слабую зависимость от тока. Два графика для двух транзисторов с сопоставимым током стока.

Таким образом достаточно корректные данные сопротивления канала можно получить при малых токах, существенно ниже номинального из таблиц датащита.

Небольшая рекомендация для таких измерений - более высокое напряжение затвор-исток, чтобы изменение сопротивление канала при увеличении тока стока было меньше. Это хорошо показано в описании BSS138LT1.

[zoog]

на график. При постоянном напряжении на затворе и при токе изменяющемся от 0 до примерно 30А (для какого то определенного транзистора) сопротивление канала изменяется в пределах 3 процентов.

Причём у 90% транзисторов эта зависимость даже не нормируется, а у тех, что встречались мне - разница Rdson(0, Idsmax) не превышает 25%.

[Ан-162]

Не знаю, ребята, зачем такие городушки.
Мне хватает источника питания 10 вольт 1,5А, мощного резистора 10 Ом, маломощного 1-10 кОм и мультиметра, включенного на самый чувствительный предел 200мВ.
Если конечно, сопротивление канала не более 0,2 Ом. ��

[zoog]

Портативность, прямая индикация результата, цветомузыка.

[shevcha]

Не знаю, ребята, зачем такие городушки.

Аналогично, но пользую два бп, на одном ставлю ограничение тока 10А, другим кормлю затвор, причем тем напряжением которым планирую управлять. Просто часто рулю батарейным питанием. Таким же способом смотрю прямое падение на диодах и тириках.