Токовое зеркало.

[zoog]

Возможно, в этом был затык: насыщением считается режим, когда оба перехода транзистора открыты, то есть Uб-к превышает 0,1..0,3В. Пока не превышает - транзистор работает в активном режиме, даже при напяжении на коллекторе ниже, чем на базе.

[akegor]

насыщением считается режим, когда

рост тока базы перестаёт вызывать пропорциональный ему рост тока коллектора. И есть еще "коэффициент насыщения". Это первично. Остальное - вторично (гы! И третично-четвертично...).

[zoog]

рост тока базы перестаёт вызывать пропорциональный ему рост тока коллектора.

Это очень размытое определение - в диапазоне 0,1..1 Iкмакс бета стабильно падает - по Вашему это тоже насыщение получится.
Корректное определение всё же приведённое мной, насколько мне известно.

[bordodynov]

Неправильно. У bordodynov на картинке какое-то странное направление базовых токов было выбрано, поэтому получился лишний минус при 9 мкА. Обдумай её с учётом +9 мкА и сообщения №69.


Конечно нет. Это транзистор в активном (усиление тока) режиме.

Это не я выбрал. Во всех Spice-программах втекающий ток в вывод считается положительным. Если ток вытекает, то он показывается отрицательным. Поэтому для PNP Ток отрицательный, а для NPN - положительный. Я не хотел дополнительно запутывать и так откровенно слабых в схемотехнике и не стал выводить отрицательные токи коллектора, а вывел ток резисторов.
В показанной схеме применены транзисторы без параметра - напряжения Эрли. И токи коллекторов этих двух транзисторов равны. Если бы я задал в модели напряжение Эрли (Vaf), то ток правого был бы больше чем у левого (по абсолютной величине). В моделях реальных транзисторов этот параметр задан. Я не брал реальный транзистор, по причине которую я указал. Также на токи и насыщение влияет сопротивление тела коллектора. По поводу диодного включения. В этом режиме ток "диода" равен сумме тока коллектора и тока базы. А показывать этот ток как ток через базу это не грамотно, если не сказать больше.

[12943]

Возможно, в этом был затык: насыщением считается режим, когда оба перехода транзистора открыты, то есть Uб-к превышает 0,1..0,3В. Пока не превышает - транзистор работает в активном режиме, даже при напяжении на коллекторе ниже, чем на базе.

Например схемка во вложении:
Uкэ=0,03В, а значит Uбк гораздо больше чем 0,3В, тем не менее переход база-коллектор не открыт (сохраняется обычное для активного режима соотношение токов: Iк=Iэ-Iб )

[bordodynov]

Например схемка во вложении:
Uкэ=0,03В, а значит Uбк гораздо больше чем 0,3В, тем не менее переход база-коллектор не открыт (сохраняется обычное для активного режима соотношение токов: Iк=Iэ-Iб )

Вы заблуждаетесь. Указанное соотношение выполняется для любого режима, в том числе и в режимах насыщения. Закон Кирхгофа.

[zoog]

Например схемка во вложении:

Там пределы довольно размытые, маломощные транзисторы работают и при относительна малых Uкэ, у мощных ВВ транзисторов уже при 20..30В наступает квазинасыщение. В Вашем случае бета в 10 - глубокое насыщение для этого прибора.

[bordodynov]

Я кстати упоминал, что что насыщение зависит от сопротивления тела коллектора. У высоковольтных транзисторов эта область высокоомная. Этот резистор уменьшается при увеличении базового тока (эффект модуляции проводимости).
Вот как выглядят ВАХ высоковольтного транзистора (LTspice позволяет это моделировать):

[zoog]

насыщение зависит от сопротивления тела коллектора.

И от сопротивления базы - тоже, при амперных токах начинает играть. Вы, видимо, имеете в виду напряжение насыщения?

[akegor]

Это очень размытое определение

Это академическая классика. А то, что Вы приводите аргументом - "накладные расходы" на классику. Если "сразу с пеленок" влазить в дебри - до ссути хрен доберёшься.