Управление MOSFETом

[laser532]

А я бы ответил совсем иначе. Начиная с предельных случаев:

1) Напряжение на стоке выше напряжения пробоя - произойдут явления, описанные в даташите или в разделах физики про джоулево тепло. Короче, может сгореть, а может обратимо пробиться.
2) Напряжение высокое без токоограничения. В процессе открытия могут быть превышения допустимых характеристик, выход из ОБР
3) Напряжение от и до - будет разное тепловыделение в процессе открывания, значит разное сопротивление канала, значит отличие будет
4)...

[Yuri222]

потенциал на gate всегда измеряется относительно source. При этом надо обязательно помнить, что при открытии транзистора эти два потенциала будут стремится выравнятся

Вы явно немножко чего-то не дописали - а именно про ножку drain.

[Ан-162]

а вы уже до Миллера добрались

...

Есть четкое понимание что открытие и закрытие производится регулированием потенциала на GATE относительно SOURCE. И нет понимания как на открытие влияет потенциал на DRAIN, если он там есть.

Влияние DRAIN через емкость затвор-сток (GATE-DRAIN) это и есть Миллер.

[parovoZZ]

Миллер - это в динамике. В статике о нём можно забыть.