Multisim vs LTspice и другие. Сравнение

[bordodynov]

Я в своей упрощённой модели драйвера сделал лишнюю инверсию. Прошу за это прощение. Я исправил эту ошибку и сравнил мою модель с заводской. Видно что модель получилась не плохой. Также я задал начальный ток через дроссели и начальное напряжение на выходной ёмкости.

[bordodynov]

На одном из форумов встретил повышалку на таймере. Моделировали в Мультисиме. Были трудности. Использовали не встроенный таймер, а пытались воспроизвести структурную схему таймера. На мой взгляд не удачно. Я взял встроенную в Мультисим модель таймера. Немного повозился с параметрами точности. Правда усовершенствовал схему - добавил резистор в базу транзистора. Мне не понравилось, что через базу маломощного биполярного транзистора идёт ток порядка 150 мА. Схема сначала считает нормально, а затем затыкается! Доверю разобраться с этим любителям Мультисима.
Затем посчитал эту же схему в LTspice. Выяснил, что добавочная RC-цепочка, уменьшает звон, а на остальные параметры практически не влияет (немножко ухудшает).

[bordodynov]

Моделирование элемента CD4093B.

.

Алекс63 прав, когда у него появилось желание изменить пороги гистерезиса в модели Мультисима. Как оказалось они в нём заданы отнюдь не типовые.

[bordodynov]

А вот я демонстрирую модель CD4093B в LTspice. Это диаграмма с меткой 5,
Воспроизведение модели Мультисим - диаграмма с меткой 05 и воспроизведение даташит - диаграмма с меткой 15 (почти как 5).Я показал, что LTspice более гибкая система по сравнению с Мультисимом. В нём (Мультисиме) возможности спрятаны глубоко от пользователя!
Я обнаружил, что в LTspice занижена ширина гистерезиса. Исправил модели и заменил картинку.

[bordodynov]

А вот генератор:

[bordodynov]

Сравнение моделей транзистора irf740 в LTspice и Multisim. Модель в LTspice лучше. В ней есть моделирование времени выключения паразитного диода. Более совершенное моделирование паразитных ёмкостей. Так же есть моделирование подпорогового тока.

[vrybel]

IRF740. Модель из SIMetrix.

[bordodynov]

vrybel,
в SIMetrix есть более лучшая модель:
.subckt IRF740 D G S
.model mosfet NMOS( LEVEL=17 VTO=3.907 RS=0.03281 KP=9.087 RD=0.4191 TC1RD=0.0138 RG=5 IS=1e-36 LIMIT(VDS)=(*, 400)
+ CGDMAX=3.00E-09 CGDMIN=1.00E-11 XG2CGD=0.5 XG1CGD=0.1 CBD=1.69E-10 VTCGD=0.2)
.model diode D( IS=3.73e-11 RS=0.0204 TT=9.415e-07)
M1 D G S S mosfet
D1 S D Diode
Cgs G S 1.17E-09
.ends
Эта модель имеет параметр ТТ. А статические характеристики такие же. И она лучше отражает зависимости паразитных ёмкостей. Так же обе эти модели не имеют выходной проводимости в пентодной области. По достоверности они хуже показанной мной модели. Особенно это касается усилительных схем - нет подпорога. Модель LTspice имеет больше параметров, что позволяет точнее воспроизводить реальные характеристики.

вы задаёте при построении зависимостей грубый шаг и ваши графики угловатые. Не бойтесь уменьшать шаг. Расчёт всё равно мгновенный!

[vrybel]

параметр ТТ

Он есть,и вах более похожа на вашу.

[bordodynov]

Сравнил работу микросхемы XR2206. При установлении максимального шага времени симуляции 100 нсек Мультисим тормозит. Малый шаг повышает точность моделирования. Так же на приборах плохо видны значения выводимых величин (моё мнение).