Токовое зеркало.

[genao]

Условие активного режима ОЭ - это когда сохраняется пропорциональность между током базы и током коллектора.
Когда приращение тока базы уже не приводит к увеличению тока коллектора - это уже режим насыщения.

Активный режим, режим усилителя одно и тоже тоесть Iк и Uк-э соответствует линейному участку выходной хорактиристик.

Вот две нагрузочные линии, обе - активный режим.
Одна проходит через нелинейные участки.


У КТ342 насыщение кэ составляет 0,1 В, и если растянуть выходные характеристики в зоне от 0В до 0,2В, то восходящие ветви оторвутся от вертикальной линии и будут, умозрительно, следовать направлению толстой линии, линии насыщения.

На коллекторных характеристиках транзистора область насыщения характеризуется линией насыщения ОН (рис. 2.6,б). Каждой точке этой линии соответствует некоторое значение напряжения Uкэ=UкНАС и тока Iк = IкНАС. Ток IкНАС называется коллекторным током насыщения. Как видно из характеристик, эти величины связаны между собой линейной зависимостью

Rнас=Rт= UкНАС /IкНАС, де Rнас - сопротивление насыщенного транзистора. Значения Rнас, определяются крутизной линии насыщения. Обычно оно достаточно мало (например, у транзистора КТ504 Rнас≈50 Ом). Каждой точке линии насыщения соответствует некоторое граничное значение тока базы
Iб=Iб НАС, при котором транзистор входит в насыщение.

Когда нагрузочная линия будет близко подходить к этой линии, это наступление насыщения


При соединении базы с коллектором, линия нарастания тока коллектора будет идти правее линии насыщения и угол наклона будет определятся беттой транзистора.

[12943]

Одно дело это:

Условие активного режима ОЭ - это когда сохраняется пропорциональность между током базы и током коллектора.

и совсем другое это:

Когда приращение тока базы уже не приводит к увеличению тока коллектора - это уже режим насыщения.

Если не ставить дополнительных условий, то может оказаться,
что насыщения вообще нет.
К примеру, транзистор подключен к источнику напряжения
без нагрузки ограничивающей ток. Тогда увеличение тока базы будет
приводить к увеличению тока коллектора вплоть до уничтожения транзистора.

[sxemak]

Условие активного режима ОЭ - это когда сохраняется пропорциональность между током базы и током коллектора.
Когда приращение тока базы уже не приводит к увеличению тока коллектора - это уже режим насыщения.

Ну да. Iк/Iб=1мА/1,8мкА= 555 коэффициент усиления по току h21 есть...
Ндааа странно???
Если я поставлю рабочую точку по таким координатам на выходной хорактиристике, выходной сигнал захлебнётся от искажений???

[sxemak]

Условие активного режима ОЭ - это когда сохраняется пропорциональность между током базы и током коллектора.
Когда приращение тока базы уже не приводит к увеличению тока коллектора - это уже режим насыщения.


Вот две нагрузочные линии, обе - активный режим.
Одна проходит через нелинейные участки.
Вложение 149478

У КТ342 насыщение кэ составляет 0,1 В, и если растянуть выходные характеристики в зоне от 0В до 0,2В, то восходящие ветви оторвутся от вертикальной линии и будут, умозрительно, следовать направлению толстой линии, линии насыщения.

Когда нагрузочная линия будет близко подходить к этой линии, это наступление насыщения
Вложение 149481

При соединении базы с коллектором, линия нарастания тока коллектора будет идти правее линии насыщения и угол наклона будет определятся беттой транзистора.

Ааа тоесть ели я расстяну( увеличу) масштаб от 0 до 0,2 точка всё-таки будет лежать на линейном участке?

[genao]

Ндааа странно???
Если я поставлю рабочую точку по таким координатам на выходной хорактиристике, выходной сигнал захлебнётся от искажений???

Странного тут нет. Выбираете "скольжение" точки сигнала по линейным выходным характеристикам, получаете искажение меньше, чем при скольжении по нелинейным выходным характеристикам.
В обоих случаях если "скольжение" точки сигнала не заходит в область насыщения или отсечки, транзистор находится в активном режиме.

[genao]

Ааа тоесть ели я расстяну( увеличу) масштаб от 0 до 0,2 точка всё-таки будет лежать на линейном участке?

Да, при соединенных К-Б, точка автоматом будет находится на пологом участке вблизи чуть выше характеристики Iб=0, Ведь Uкэ=Uбэ= 0,5-0,9В заведомо далеки от линии насыщения Rнас, проходящей через точку Uкэ=0,1В
Можете сами промоделировать такое и снять характеристику

[sxemak]

Одно дело это:

и совсем другое это:

Если не ставить дополнительных условий, то может оказаться,
что насыщения вообще нет.
К примеру, транзистор подключен к источнику напряжения
без нагрузки ограничивающей ток. Тогда увеличение тока базы будет
приводить к увеличению тока коллектора вплоть до уничтожения транзистора.

Дааа интересный факт...

[sxemak]

Почему на изображении источник тока перехода БЭ написано iк инжектируется же электроны из эмиттера в базу?

[ForcePoint]

Почему на изображении источник тока перехода БЭ написано iк инжектируется же электроны из эмиттера в базу?

Это инверсный режим (коллектор и эмиттер поменяны местами). Так тоже можно, но используется чрезвычайно редко из-за падения коэффициента передачи тока.

[sxemak]

Это инверсный режим (коллектор и эмиттер поменяны местами). Так тоже можно, но используется чрезвычайно редко из-за падения коэффициента передачи тока.

Оба, а зачем мене такая, так и должно быть?
Что то везде такие схемы???
И почему модель везде с ОБ?