Токовое зеркало.

[svsexmon]

Понимать - это одно (можно и без моделей).
Рассчитывать - другое. Хотя и тут - для того, что-бы рассчитать с приемлемой в инженерной практике точностью (до 1..2 знаков) модели зачастую не требуются.

Нашёл другую схему...
Так правильно?

P.S. Нас троллят?

Ато...!!!

Колысь котэ делать нэчого..:

Нашёл другую схему...

Ибо... ХоровицЦ&ХилЛ уже давно ВСЁ объяснили Понятным языком... - НО... Человеческим!!!...
а Котэ всё... ну сами Знаете!...

[sxemak]

Может моя картинка заставит вас думать или не думать (что легче).
Внимательно смотрите на направления токов. Я использовал два амперметра (маленькие стрелки).

Ахренеть откуда все эти токи взялись...
Вот эти маленькие стрелочки как раз и удивляют, ток генератора В3 вместо того чтобы идти через диод D1 его понесло через диод D2???

[bordodynov]

Ахренеть откуда все эти токи взялись...
Вот эти маленькие стрелочки как раз и удивляют, ток генератора В3 вместо того чтобы идти через диод D1 его понесло через диод D2???

Эта схема является эквивалентом идеального транзистора. Так как я не могу задавать генераторы тока, зависимые от тока диода, то я поставил амперметры (маленькие стрелочки).Токки амперметров равны токам диодов, а стрелочки показывают направление токов. Вы захотели ток эмиттера 2 А и я сделал ток эмиттера 2 А, а заодно ток базы 2 А.
Если бы вы не занимались ерундой, пробуя угадать выражение для токов, а составили уравнения Кирхгофа, то получили бы такие значения. Я брал прямой коэффициент усиления транзистора 100, а инверсный - 1. Инверсный коэффициент может быть как меньше единицы так больше. Такие значения усиления в spice программах по умолчанию. Если вы сложите ток коллекторного p-n перехода и параллельного ему генератора тока с учётом направления тока, то получите ноль. Если вы тоже сделаете с эмиттерным переходом, то получите результирующий ток эмиттера 2 А. Всяческие экспоненциальные законы здесь не влияют. Они влияют только на напряжение на переходах. Вас интересуют токи и поэтому не стоит заморачиваться формулами. Пока вы не получите токи, показанные на моём рисунке, вы не продвинетесь в понимании модели Эберса-Молла. Случай оборванного коллектора является простейшим случаем для расчёта. Осилите, и двигайтесь дальше.
Я для того, чтобы вы не сомневались слева расположил транзистор и на выводах транзистора (база и коллектор) такие же напряжения как у эквивалента.

[sxemak]

Эта схема является эквивалентом идеального транзистора. Так как я не могу задавать генераторы тока, зависимые от тока диода, то я поставил амперметры (маленькие стрелочки).Токки амперметров равны токам диодов, а стрелочки показывают направление токов. Вы захотели ток эмиттера 2 А и я сделал ток эмиттера 2 А, а заодно ток базы 2 А.
Если бы вы не занимались ерундой, пробуя угадать выражение для токов, а составили уравнения Кирхгофа, то получили бы такие значения. Я брал прямой коэффициент усиления транзистора 100, а инверсный - 1. Инверсный коэффициент может быть как меньше единицы так больше. Такие значения усиления в spice программах по умолчанию. Если вы сложите ток коллекторного p-n перехода и параллельного ему генератора тока с учётом направления тока, то получите ноль. Если вы тоже сделаете с эмиттерным переходом, то получите результирующий ток эмиттера 2 А. Всяческие экспоненциальные законы здесь не влияют. Они влияют только на напряжение на переходах. Вас интересуют токи и поэтому не стоит заморачиваться формулами. Пока вы не получите токи, показанные на моём рисунке, вы не продвинетесь в понимании модели Эберса-Молла. Случай оборванного коллектора является простейшим случаем для расчёта. Осилите, и двигайтесь дальше.
Я для того, чтобы вы не сомневались слева расположил транзистор и на выводах транзистора (база и коллектор) такие же напряжения как у эквивалента.

Подумаю...
Подождите...
Об каком инверсном речь если на схеме прямой режим, инверсный это когда БК в прямом включен?
Или это имеется введу -1 коэффициент передачи тока коллектора когда БЭ в прямом режиме?

[bordodynov]

Подумаю...
Подождите...
Об каком инверсном речь если на схеме прямой режим, инверсный это когда БК в прямом включен?
Или это имеется введу -1 коэффициент передачи тока коллектора когда БЭ в прямом режиме?

Речь идёт не об инверсном режиме, а об параметре усиления в инверсном режиме! Не путайте. Это разные вещи: режим и параметры. И коэффициент усиления в инверсном режиме начинает проявляться когда коллекторный переход инжектирует носители в эмиттерный переход. А это характерно для режима насыщения. Напряжение насыщения определяется не только коэффициентом усиления в прямом режиме, но и коэффициентом усиления в инверсном режиме.

[sxemak]

Речь идёт не об инверсном режиме, а об параметре усиления в инверсном режиме! Не путайте. Это разные вещи: режим и параметры. И коэффициент усиления в инверсном режиме начинает проявляться когда коллекторный переход инжектирует носители в эмиттерный переход. А это характерно для режима насыщения. Напряжение насыщения определяется не только коэффициентом усиления в прямом режиме, но и коэффициентом усиления в инверсном режиме.

Инверсный режим это когда БЭ в обратном направлении а БК в прямом, а когда БЭ в прямом а БК в насыщении почему это называется инверсным?

"И коэффициент усиления в инверсном режиме начинает проявляться когда коллекторный переход инжектирует носители в эмиттерный переход. А это характерно для режима насыщения"

В инверсном режиме почему БК не может инжектировать носители находясь в активном состоянии ведь БЭ в обратном направлении включён зачем переходить в насыщение, что мешает? Ведь когда в прямом режиме БЭ не надо переходить в режим насыщения чтобы инжектировать носители он в активном состоянии неплохо их гонит???

[bordodynov]

Инверсный режим это когда БЭ в обратном направлении а БК в прямом, а когда БЭ в прямом а БК в насыщении почему это называется инверсным?

"И коэффициент усиления в инверсном режиме начинает проявляться когда коллекторный переход инжектирует носители в эмиттерный переход. А это характерно для режима насыщения"

В инверсном режиме почему БК не может инжектировать носители находясь в активном состоянии ведь БЭ в обратном направлении включён зачем переходить в насыщение, что мешает? Ведь когда в прямом режиме БЭ не надо переходить в режим насыщения чтобы инжектировать носители он в активном состоянии неплохо их гонит???

Как то вы своебразно понимаете мои слова. Зачем вы сразу пытаетесь рассматривать разные режимы одновременно? Рассматривайте только один режим за раз. Вы предложили рассматривать случай оборванного коллектора и эмиттерным током 2 А. Я дал вам этот случай. Если вы хотите получить насыщение в инверсном режиме, то заземлите коллектор.
Вы что не понимаете, что у транзистора есть параметры и их легко измерять в прямом и инверсном режимах. А эти параметры влияют на поведение транзистора. Есть параметры транзистора и есть режимы! Вы не понимаете русского языка?

[bordodynov]

А теперь я расчитаю схему эквивалента транзистора, что бы показать беспомощность ТС.
Предположим, что ток эмиттерного перехода X.
Первый шаг.
Инжектируемый в коллектор ток генератора в коллекторном переходе X*alphaF
Этот же ток идёт в коллекторный переход (коллектор оборван) X*alphaF
Второй шаг.
Коллекторный переход инжектирует в эмиттерный X*alphaF*alphfR, это ток нижнего генератора.
Третий шаг.
Эмиттерный ток состоит из тока p-n перхода эмиттера и параллельного ему генератора
Итого ток эмиттера равен X-X*alphaF*alphfR и эта величина равна току базы iб=2А
Четвёртый шаг X=iб/(1-alphaF*alphfR) Подставляем численные значения:
iэ=X=2/(1-Bf/(Bf+1)*Br/(Br+1)) Bf=100 BR=1 ==› iэ=2/(1-100/101*1/(1+1))=*3.9607843A
Сравните с тем, что насчитал LTspice.
Видите как всё просто! А вы занимаетесь мудозвоном. Не быть вам теоретиком и хорошим электроником, если вы не можете рассчитать простейшие цепи.

[ForcePoint]

И коэффициент усиления в инверсном режиме начинает проявляться когда коллекторный переход инжектирует носители в эмиттерный переход.

FTGJ, инжектировать коллектор может только в базу.

[bordodynov]

FTGJ, инжектировать коллектор может только в базу.

Вообще говоря инжектирование происходит в область ОПЗ база-эмиттерного перехода, основная часть которого находится в базовой области и очень маленькая часть перехода в эмиттере. Маленькая часть, но она есть. Если этой частью пренебречь, то да вы правы. Всё из-за сильной разницы в концентрациях носителей. В коллекторный переход находится и в базе и в коллекторе, поэтому правильно писать не в базе, не в эмиттере и не в коллекторе, а в переходе. Для гетеро-структурных транзисторах тоже всё не просто. Просто было в транзисторах типа МП39 или в горизонтальных pnp транзисторах, где практически все инжектированные носители находились в частях базы . А в структурах с эпитаксиальным коллектором всё не так.