Токовое зеркало.

[sxemak]

В реальных переходах нет этих четырёх токов, только два - ток эмиттера и ток коллектора. Любое число (в данном случае ток) можно представить как разность двух чисел. Просто удобно не писать уравнение тока, состоящего из двух составляющих. Гораздо удобнее изображать диод и параллельный генератор тока. До этого додумались Эберс и Молл. Тем более напряжение на p-n переходе считается правильно.

В точку между диодами один ток приходит другой уходит есть разность 2А, меду переходами и снимаем эти два ампера.
А в реальности мы же не между переходами снимаем а с КЭ?

[bordodynov]

В точку между диодами один ток приходит другой уходит есть разность 2А, меду переходами и снимаем эти два ампера.
А в реальности мы же не между переходами снимаем а с КЭ?

В реальности мы можем снимать на КЭ только напряжение. В моей схеме: ток базы 2А, ток эмиттера 2А и ток коллектора 0. Какой это ток КЭ ?! транзистор это трёхполюсник! Вот если оборвать базу и подать достаточное напряжение для пробоя, то тогда можно говорить об токе КЭ.
Вот вам будет интересно:

[sxemak]

В реальности мы можем снимать на КЭ только напряжение. В моей схеме: ток базы 2А, ток эмиттера 2А и ток коллектора 0. Какой это ток КЭ ?! транзистор это трёхполюсник! Вот если оборвать базу и подать достаточное напряжение для пробоя, то тогда можно говорить об токе КЭ.
Вот вам будет интересно:

Я хотел сказать вот что, как я это воспринимаю.
В контуре D1 и В3 циркулирует ток 2А (как на изображении) подключив к этому контуру нагрузку резистор, через этот резистор соответственно течёт ток 2А... Но в реальности такова не может быть чтоб так снимали выходной ток???

[bordodynov]

Я хотел сказать вот что, как я это воспринимаю.
В контуре D1 и В3 циркулирует ток 2А (как на изображении) подключив к этому контуру нагрузку резистор, через этот резистор соответственно течёт ток 2А... Но в реальности такова не может быть чтоб так снимали выходной ток???

То что вы нарисовали в реальной схеме может быть. Это резистор параллельно база-эмиттер. Например в мощных дарлингтонах включен резистор для ускорения выключения и уменьшения утечек в выключенном состоянии. Ток через резистор будет равен Vбэ/R. Ток через эмиттер будет меньше. Чтобы ток через резистор был равен 2А надо этот резистор включить последовательно с эмиттером, а не параллельно, как нарисовали вы. Тогда ток резистора будет равен току эмиттера. Транзистор с оборванным коллектором представляет собой диод (правда довольно медленный). Из транзистора получается довольно быстрый диод, если закорочены база и коллектор (как в зеркале тока).

[sxemak]

То что вы нарисовали в реальной схеме может быть. Это резистор параллельно база-эмиттер. Например в мощных дарлингтонах включен резистор для ускорения выключения и уменьшения утечек в выключенном состоянии. Ток через резистор будет равен Vбэ/R. Ток через эмиттер будет меньше. Чтобы ток через резистор был равен 2А надо этот резистор включить последовательно с эмиттером, а не параллельно, как нарисовали вы. Тогда ток резистора будет равен току эмиттера. Транзистор с оборванным коллектором представляет собой диод (правда довольно медленный). Из транзистора получается довольно быстрый диод, если закорочены база и коллектор (как в зеркале тока).

А действительно какой толк от оборванного коллектора усиления по току нет, 2А на входе 2А на выходе...

[sxemak]

Вы не излечимы. Ток базы всегда равен току эмиттера минус ток коллектора для любых режимов. Это следует из закона Кирхгофа.
Если вы задаёте вопрос, то вы должны спрашивать корректно, а так это напоминает бред. Чего часть? Ещё раз посмотрите мою картинку. Для сверхнасыщенного режима (коллектор оборван и соответственно ток коллектора равен нулю) инжекция из коллекторного перехода с потерями передаётся в эмиттерный переход. В данном случае при инверсном коэффициенте усиления 1 в эмиттерный переход инжектируется 50% от тока коллекторного перехода (напоминаю, что при этом ток коллектора равен нулю).

Через переход БЭ проходит большой ток он в сверх насыщении.
Коллектор оторван, к нему не приложено никакое напряжение, как он может оказывать такое сильное противодействие току перехода БЭ он глушит половину тока БЭ?

[bordodynov]

А действительно какой толк от оборванного коллектора усиления по току нет, 2А на входе 2А на выходе...

Вам нет толку. Но были люди (и возможно есть) которые применяли такой режим работы транзистора в аттенюаторах малых сигналов. Динамическое сопротивление КЭ обратно-пропорционально току базы (с оборванным коллектором). А для вас тоже есть польза. Это хорошая демонстрация применения модели Эберса-Молла.
Я думаю, что вы заметили, что всё не так просто, как вы считали.

[ForcePoint]

Вот вам будет интересно

Зачем лавинные транзисторы? Твой визави в арифметике блуждает похуже, чем в трёх соснах.

[sxemak]

Это хорошая демонстрация применения модели Эберса-Молла.

Это точно.

[sxemak]

Сообщение от bordodynov Посмотреть сообщение
Вы не излечимы. Ток базы всегда равен току эмиттера минус ток коллектора для любых режимов. Это следует из закона Кирхгофа.
Если вы задаёте вопрос, то вы должны спрашивать корректно, а так это напоминает бред. Чего часть? Ещё раз посмотрите мою картинку. Для сверхнасыщенного режима (коллектор оборван и соответственно ток коллектора равен нулю) инжекция из коллекторного перехода с потерями передаётся в эмиттерный переход. В данном случае при инверсном коэффициенте усиления 1 в эмиттерный переход инжектируется 50% от тока коллекторного перехода (напоминаю, что при этом ток коллектора равен нулю).
Через переход БЭ проходит большой ток он в сверх насыщении.
Коллектор оторван, к нему не приложено никакое напряжение, как он может оказывать такое сильное противодействие току перехода БЭ он глушит половину тока БЭ?