Что такое Uкэmax

[12943]

Свежие данные

[Yuri222]

Наверное, только мосфеты остались

по предыдущей ссылке, если порыться

[genao]

Тошиба, например, давно не выпускает полупроводники, а её транзисторов - полный рынок)

Ну тошибовский апнот не древний, а довольно актуализированый 2019-03-04


Вот еще апнот от ST AN656/0295
slidex.tips_power-transistors-devices-and-datasheets.pdf

In most applications the power transistor is neverused with its base terminal opened, hence theV(BR)CES is the value used to choose the transistor.The V(BR)CEO, generally around 60% of the V(BR)CES,becomes important when the both currents andvoltages are present in the device simultaneously,for example when switching an inductive load. Thistopic is discussed in more depth in the later sectionon RBSOA

Usually, switching transistors can be turned with themaximum possible extraction base currents betweenV(BR)CEO and IC(max). For applications such asswitching power supplies or halogen lamp ballasts,how high the current switched between the V(BR)CEOand V(BR)CES of the transistor is of primary importance.

[genao]

некоторых секретных неудачных схемах обрывается цепь базы

Схемы эти не для бытового применения, это точно. Знающих толк в извращениях немного, но они есть.

а резистор поставить нельзя по идеологическим, видимо, соображениям

Ну это тараканы разработчиков, идеи они то бывают разные (у каждого разработчика своя шиза и упёртость)

импортная бытовуха рассчитана на работу в условиях ядерного взрыва

Тут вы зря ёрничаете, например, бытовуха для автомобильных применений проектируется с учетом импульсных перенапряжений в бортовой сети.

[genao]

Жалко, ошибок много) то V(BR)CBO › V(BR)CES › V(BR)CEX › V(BR)CER › V(BR)CEO,
то values of V(BR)CEO and V(BR)CES are almost the same, то V(BR)CBO (Vb) = V(BR)CES.

а вот буржуи вводили только реально полезные параметры в даташитах.

Может не ладно в чей то консерватории?
Можете подать иск к Тошибе за ошибки, или признать что плохо поняли содержимое официального апнота.

А может буржуи тоже не спроста так "ошибаются"?

zoog, Вы ведь ждете, с выпяченной губой, "подачку" - объяснение

при выключении транзистор ведёт себя так, как будто его база висит в воздухе", непонятно, это чьё-то наблюдение или как-то обосновано

а вам его так и не предоставляют.

Не хотите при этом лопатить информацию, ёрничаете, пытаетесь вашим любимым методом "провокационных оскорблений" (например, наезды на совок), заставить дать вам "подачку".

Вы явный трутень, не желающий сам добывать информацию.
Пропускающий сквозь свой, забитый желчью и неприязнью к дающим, фильтр добытую информацию.
Специально для вас, коровы по жизни, хочу привести такую притчу.

Перефразированная притча про корову и лошадь, которые хотели пить и искали воду.
Корова, встретив сурка сказала - эй, вонючий сурок, где тут можно найти воду?
Сурок - пойдешь туда и найдешь воду. Корова пришла к луже с гряэной и мутной водой.
Потом лошадь, встретив сурка сказала - О благоухающий разными прекрасными травами не подскажешь где можно найти источник воды и попить воду.
Сурок - О прекрасная лошадь, пройдешь туда и найдешь воду. Лошадь пошла и нашла ручей с чистой, прозрачной и проточной водой.

[bordodynov]

Вот я построил зависимость пробивного напряжения от сопротивления БЭ.

[genao]

Мой старый добрый справочник.(совковый!)

[genao]

некоторых секретных неудачных схемах обрывается цепь базы

Задайтесь вопросом, какую траекторию проделывает ток базы при выключении транзистора с ОЭ в схемах, где для ускоренного закрывания, или для повышенной помехоустойчивости используется подача обратного напряжения на БЭ, или это обратное напряжение образуется вследствие особенностей схемы управления?
Ведь ток базы при этом проходит нулевую точку Iб=0, не зависимо от того, есть ли резистор параллельно БЭ, или нет.
Вопрос только в том, насколько быстро/круто ток базы проходит эту точку и какое при этом напряжение КЭ.
Особенно это касается транзисторов, где для увеличения быстродействия уменьшают время жизни неосновных носителей путем легирования активных и пассивных областей, где вероятность лавинного пробоя весьма велика.
Чтобы быстро проходить эту точку, в таких случаях, принимают еще меры недопущения насыщения транзистора выше определенной планки (уменьшают накапливание и рассасывание зарядов), попутно решая устойчивость к вторичному пробою при запирающем токе базы.

Еще можете почитать Гусева, про вторичный пробой при запирающих токах базы
perehodn-e-protsess-v-tranzistornom-klyuche-pri-rabote-na-rlc-nagruzku.pdf

[Yuri222]

и какое при этом напряжение КЭ

Да еще и какой ток - при индуктивной нагрузке.

[zoog]

Не хотите при этом лопатить информацию, ёрничаете, пытаетесь вашим любимым методом "провокационных оскорблений" (например, наезды на совок), заставить дать вам "подачку".

ГОСТы, как я уже писал, мне знакомы в основном.
Насчёт ёрничанья - это мне воспитание не позволяет ответить адекватно на рассуждения о ядерных взрывах, пытаюсь обратить в шутку.
Наезды на совок - Вы уже ознакомились с тем справочником? А школьные учебники 80х-90х годов Вам как? То, что весь СС работал на бюрократию, а не на результат - факт или нет?
Я предполагал, что ответ простой, уместится в паре предложений, но получил только оффтоп от благоухающего сурка.

Ведь ток базы при этом проходит нулевую точку Iб=0, не зависимо от того, есть ли резистор параллельно БЭ, или нет.

Сначала ток базы проходит эту точку. Потом, после пары мкс на отсос носителей с базы, транзистор начинает закрываться, всё это время ток отрицательный, напряжение на базе отрицательное. Время выхода из строя при вторичном пробое - микросекунды, время перехода Iб через 0 - явно на порядки меньше.

Да еще и какой ток - при индуктивной нагрузке.

Если смотреть на ОБР - то одного порядка с Iкмакс, если другим глазом в справочник/ГОСТ - то миллиамперы ‹- зачем?