Read - write Flash STM32F767

[sanstan]

Добрый день.
Подскажите, какие регистры использовать с МК stm32f767?

для МК f103 подходил код:

uint32_t st_address;//адрес записи данных
void flash_unlock(void) {
  FLASH-›KEYR = FLASH_KEY1;
  FLASH-›KEYR = FLASH_KEY2;
}
void flash_lock() {
  FLASH-›CR |= FLASH_CR_LOCK;
}
//Функция возврщает true когда можно стирать или писать память.
uint8_t flash_ready(void) {
  return !(FLASH-›SR & FLASH_SR_BSY);
}
//Функция стирает ВСЕ страницы. При её вызове прошивка самоуничтожается
void flash_erase_all_pages(void) {
  FLASH-›CR |= FLASH_CR_MER; //Устанавливаем бит стирания ВСЕХ страниц
  FLASH-›CR |= FLASH_CR_STRT; //Начать стирание
  while(!flash_ready()) // Ожидание готовности.. Хотя оно уже наверное ни к чему здесь...
    ;
  FLASH-›CR &= FLASH_CR_MER;
}
//Функция стирает одну страницу. В качестве адреса можно использовать любой
//принадлежащий диапазону адресов той странице которую нужно очистить.
void flash_erase_page(uint32_t address) {
  FLASH-›CR|= FLASH_CR_PER; //Устанавливаем бит стирания одной страницы
  FLASH-›AR = address; // Задаем её адрес
  FLASH-›CR|= FLASH_CR_STRT; // Запускаем стирание
  while(!flash_ready())
    ;  //Ждем пока страница сотрется.
  FLASH-›CR&= ~FLASH_CR_PER; //Сбрасываем бит обратно
}
//запись данных во флеш
void flash_write(uint32_t address,uint32_t data) {
  FLASH-›CR |= FLASH_CR_PG; //Разрешаем программирование флеша
  while(!flash_ready()) //Ожидаем готовности флеша к записи
    ;
  *(__IO uint16_t*)address = (uint16_t)data; //Пишем младшие 2 байта
  while(!flash_ready())
    ;
  address+=2;
  data››=16;
  *(__IO uint16_t*)address = (uint16_t)data; //Пишем старшие 2 байта
  while(!flash_ready())
    ;
  FLASH-›CR &= ~(FLASH_CR_PG); //Запрещаем программирование флеша
}

void flash_save_data(){
	int p=100;
	int tmp=0;
	int flashVars=0;		//разрешение на чтение из флеш памяти
	st_address=FLASH_BASE+p*1024;
	flash_unlock();
	flash_erase_page(st_address);

	flash_write(st_address+tmp,flashVars);	//разрешение на чтение из флеш памяти
	tmp+=4;
	flash_write(st_address+tmp,t102);	//Сохраняем максимальное давление компрессора.
	tmp+=4;
	for(int i=1;i‹=nProdMax;i++){
		flash_write(st_address+tmp,price[i]);
		tmp+=4;
	}
	password=atoi(strPasswordCurr);
	flash_write(st_address+tmp,password);	//пароль
	tmp+=4;
	for(tmp;tmp‹1024;tmp+=4){
		flash_write(st_address+tmp,intFlash);
		intFlash+=2;
	}
	flash_lock();
}

//Чтение данных из Флеш
uint32_t flash_read(uint32_t address) {
  return (*(__IO uint32_t*) address);
}
void flash_read_data(){
	int p=100;
	int intFlash=0;
	int tmp=0;
	int flashVars;		//разрешение на чтение из флеш памяти
	st_address=FLASH_BASE+p*1024;
	flash_unlock();
	flashVars=flash_read(st_address+tmp);	//Читаем разрешение на чтение из флеш памяти
	tmp+=4;
	if(flashVars==0){	//если запись во флеш ранее производилась
		t102=flash_read(st_address+tmp);	//Читаем максимальное давление компрессора.
		tmp+=4;
		for(int i=1;i‹=nProdMax;i++){
			price[i]=flash_read(st_address+tmp);
			tmp+=4;
		}
		password=flash_read(st_address+tmp);	//Читаем пароль
		sprintf(strPasswordCurr,"%8d", password);
		//strPasswordSave=itoa(password);
		tmp+=4;
	}else{
		password=atoi(strPasswordSave);
	}
	flash_lock();
}

с easystm32.ru.

в f767 нет FLASH_CR_PER; //Устанавливаем бит стирания одной страницы
и FLASH-›AR

[realid]

Раздел 3. Embedded Flash memory (FLASH).
Там нет страниц, там стирание идет секторами и нужно указать номер сектора.
Вам необходимо открыть и прочитать мануал на эту серию и код подправить с учетом полученной информации. Ничего сложного там нет.

[sanstan]

void flash_erase_page(uint32_t address) {
  FLASH-›CR|= FLASH_CR_PER; //Устанавливаем бит стирания одной страницы
  FLASH-›AR = address; // Задаем её адрес
  FLASH-›CR|= FLASH_CR_STRT; // Запускаем стирание
  while(!flash_ready())
    ;  //Ждем пока страница сотрется.
  FLASH-›CR&= ~FLASH_CR_PER; //Сбрасываем бит обратно
}

Должно быть:

void flash_erase_page(uint32_t address) {
  FLASH-›CR|= FLASH_CR_SER; //Устанавливаем бит стирания одной страницы
  FLASH-›AR = address; // Задаем её адрес
  FLASH-›CR|= FLASH_CR_STRT; // Запускаем стирание
  while(!flash_ready())
    ;  //Ждем пока страница сотрется.
  FLASH-›CR&= ~FLASH_CR_SER; //Сбрасываем бит обратно
}

я не понял, как адрес задавать...

[realid]

Там не адрес, а номер сектора для стирания задается в регистре FLASH-›CR, Bits 7:3 SNB[4:0]: Sector number.

По размеру секторов тоже есть нюансы. Читайте мануал внимательнее.

The Flash memory is organized as follows:
• Main memory organization depends on dual bank configuration bit:
– When the dual bank mode is disabled (nDBANK bit is set), the main memory block
is divided into 4 sectors of 32 Kbytes, 1 Sector of 128 Kbytes, and 7 sectors of 256
Kbytes
– In dual bank mode (nDBANK bit is reset), the main memory is divided into two
banks of 1 Mbyte. Each 1 Mbyte bank is composed of 4 sectors of 16 Kbytes, 1
Sector of 64 Kbytes and 7 sectors of 128 Kbytes
- If nDBANK=1, Size of main memory block: 4 sectors of 32 KBytes, 1 sector of
128 KBytes, 7 sectors of 256 KBytes (reference to memory organization)
- If nDBANK=0, Each 1MB banks is composed of: 4 sectors of 16 KBytes, 1 sector
of 64 KBytes, 7 sectors of 128 KBytes (reference to memory organization)

For erase operation, the right sector numbering must be considered according to
nDBANK option bit.
– When the nDBANK bit is set (single bank mode), the erase operation must be
performed on the default sector number.
– When the nDBANK bit is reset, to perform an erase operation on bank 2, the
sector number must be programmed (sector number from 12 to 19). Refer to
FLASH_CR register for SNB (Sector number) configuration.
Refer to Table 5: 1 Mbyte Flash memory single bank organization (256 bits read
width) and Table 6: 1 Mbyte Flash memory dual bank organization (128 bits read
Embedded Flash memory (FLASH) RM0410
87/1954 RM0410 Rev 4
width) for details on 1 Mbyte single bank and 1 Mbyte dual bank organizations.

На странице 88 есть таблица с номерами секторов, их размером и адресами.

[sanstan]

Пишу:

#define Sector4Begin 0x08020000

void flash_save_data(){
	int tmp=0;
	int flashVars=0;		//разрешение на чтение из флеш памяти
	st_address=Sector4Begin;//FLASH_BASE+p*1024;
	flash_unlock();
	flash_erase_page(FLASH_CR_SNB_2);//4 сектор;

	flash_write(Sector4Begin+tmp,flashVars);//st_address	//разрешение на чтение из флеш памяти
	tmp+=4;
..............

Не записывает по заданному адресу... Сохраняет зато в адрес 0x0000000 если
#define Sector4Begin 0x00000000

[realid]

flash_write(Sector4Begin+tmp,flashVars);

Что там?
________________________

[sanstan]

там "0" записывается....потом для отличия я туда "7" записал потом 8 раз...

void flash_save_data(){
  int flashVars=7;
.....
  for(int i=0;i‹8;i++){
    flash_write(Sector4Begin+tmp,flashVars);
    tmp+=4;
  }
.......
}

[realid]

Вот запись 32 бит на STM32F722, на вашем не должно отличаться.

FLASH_Unlock();
FLASH-›CR &= CR_PSIZE_MASK;
FLASH-›CR |= (FLASH_PSIZE_WORD | FLASH_CR_PG); //32 bit
for(c = 0; c ‹ 4; c++)
{	
	*(__IO uint32_t*)(address+(c*4)) = data[c]; //32 bit
	
	__DSB();
	while(FLASH-›SR & FLASH_SR_BSY);
}
FLASH-›CR &= (~FLASH_CR_PG);

[sanstan]

Работает!!! Спасибо большое - неделю бился.