Горит IRG4BC30F в ИБП

Allad · 05.02.2010, 22:20

Взялся отремонтировать ИБП 5В/20А, схемы нет. Формирование силового напряжение однотактное построенное на ШИМ контроллере TL3845 (частоту низнаю), который управляет MOSFET ключом 2N60. Питание ШИМ 17В, от второго маломощного импульсного трансформатора (ИТ) который питает ещё другие цепи, они работают. Ключ и ШИМ не исправны, а таких нет. Есть только счетверённый ОУ LM324N, на котором и сделал ШИМ на 5кГц (если будет не достаточно то подниму) и есть IRG4BC30F. В общем всё это дело собрал на проводочках транзистор посадил на радиатор, и запитал силовой ИТ через резистор 50Вт/39 Ом от 300В после моста. Ключ расчитан на 17А продолжительной работы, а он горит при 0.23А. Сначала включаю и с помощью скважности ШИМ даю ток 0.2А,VT1 греется но можно держать пальцем, жду 2 минуты, он при этом греется и становится 0.22А (во вторичке при этом 0,4В по переменке), держать уже больно, жду ещё минуту ток растёт и палец убираю ))), жду ещё и при 0.23...А сгорает и ток течёт 5.1А. В поисках истины сжёг 16 шт. Может брак где то? Но сам думаю что причина в отсутствии диода с барером Шотки, как в 2N60P. Прилогаю схему, в ней ораньжевым то что я изменил.

borodach · 05.02.2010, 22:54

Резистор в затворе очень большой, должен быть не более сотни Ом, лучше меньше... .

Allad · 05.02.2010, 23:04

Ставил и меньше ставил, в родном монтаже стит 22 Ома, и его ставил, не помогло. Осталось 8 транзисторов из этой серии. А из-за диода не может Быть?

borodach · 06.02.2010, 00:00

Почитайте информацию по обратноходовым преобразователям.
Частоту в любом случае необходимо поднять, как минимум, до 15-20 кГц, резистор в затворе поставить "родной".
Чтобы не сжигать транзисторы, попробуйте поставьте перед сетевым мостом лампу накаливания ватт на 60-100, тогда при КЗ транзисторы не будут гореть, просто лампа будет загораться максимальной яркостью... .

Кроме этого, LM324N не рассчитана на такую нагрузку, возможно придётся поставить какой-нибудь драйвер для раскачки полевика... .

issh.ru · 06.02.2010, 01:05

Ну, еще хорошо, что обмотка не сгорела.. я на своем первом импульсном ИП в ходе экспериментов раза три первичку перематывал)) транзистор тоже сгорал, да..
Посмотрите осциллографом - наверняка транзистор плохо открывается и греется на затянутых фронтах. Резистор на затвор нужно рассчитывать под тип транзистора (заряд затвора), а не оставлять такой же как стоял, вы же тип транзистора поменяли (или нет?).

0,4 В на выходе - после этого как бы вообще не нужно транзистор греть, можно спокойно выключать питание и искать косяк, т.к. должно-то быть 5 В, как я понял.

Allad · 06.02.2010, 01:26

Не понятно почему он греетсявообще при 0.2 А и при этом ток растёт, и вылетает. ПО даташиту он максимум на 30А, а для продолжительной работы с хорошим теплоотводом 17А. Как сказал бородач может ни хватает тока для нормальной работы затвора. Кстати хороший материал нашёл только что по обратноходовым преобразователям http://www.vegalab.ru/forum/attachme...chmentid=72317. А транс не сгорит, перед мостом предохранитель...

issh.ru · 06.02.2010, 01:40

Сообщение от Allad

Не понятно почему он греетсявообще при 0.2 А

Так вы поймите, что он рассчитан на ток 30А в полностью открытом состоянии, когда у него минимальное сопротивление. А если фронты затянутые, то в моменты открывания транзистор будет "ловить" мощность, причем не малую. Померяйте какое напряжение на нем падает.
Вот еще ссылочка по обратноходовым преобразователям, может пригодится: http://issh.ru/content/impulsnye-ist...ye-skhemy/172/

Allad · 06.02.2010, 01:57

Логично. По логике 2N60P выходит что работал на пределе своих возможностей. Если в IRG4BC30F при 0.2А во вторичке по переменнке 0.4В, то при 2А 2N60P будет 4В. Ни хватает 1В. Я конечно в первые занимаюсь импульсниками, но по логике опять таки добавить 1В можно либо скважностью, что приведёт к росту тока p-n перехода, либо повышать частоту ШИМ. Спасибо за ссылку.

issh.ru · 06.02.2010, 02:25

2N60P - это мосфет, а вы поставили IGBT. Как раз хорошая иллюстрация того, что иногда хреновый мосфет (RDS = 3,8 Ом) может работать лучше, чем хороший IGBT (VCE = 1,6 В). Обратите внимание на такой параметр как "Total Gate Charge QG", собственно заряд затвора. У 2N60P типовое значение 11, тогда как у IRG4BC30F уже 51 nC.
Так что проблема не в токе, а в том, что транзистор у вас работает в неправильном режиме. Померяйте напряжение коллектор-эмиттер, что-то сомневаюсь, что оно будет 1,6 В =)

Allad · 06.02.2010, 03:13

Исходя из http://www.vegalab.ru/forum/attachme...chmentid=72317 стр. 29 "Элементы в цепи управления силовым ключом", надо ввести диод D3 паралельно R9. Диод для быстрого разряда затвора, а резистр выбрать от десятков до полторы сотни ома. Резистр нужен для ограничения тока заряда затвора, что приводит к скорости открывания ключа. Там то что нужно написано. Я похоже, со своим 1кОм, до того ограничил ток заряда, что он ещё не полностью вошёл в ключевоё режим. Он как бы приоткрывается, и из-за этого сопротивление канала велико и происходит нагрев перехода, в следствии чего ипробой. Всё понял. Всем спосибо. Завтра иду на работу, верней уже сегодня. Буду подбирать сопротивление и диод поставлю КД522.