усилительные свойства транзистора основаны на особенности p-n переходов. Чтобы понять за счет чего это происходит надо окунуться в физику процессов p-n перехода.
Если на примере n-p-n транзистора, то когда прикладываем напряжение между базой и эмиттером поляризованного транзистора, электроны эмиттера начинают двигаться к базе и уходят в нее, взаимодействуя с дырками базы. Дырок обычно меньше, чем свободных электронов, поэтому электроны доходят до перехода база-коллектор. Если на коллекторе достаточное положительное напряжение, эти свободные электроны "затягиваются" в коллектор, что и является причиной появления тока в коллекторе. Таким образом, ток коллектора примерно равен току электронов эмиттера, ток базы равен току дырок базы, а суммарный ток эмиттера равен сумме токов коллектора и базы.
Таким образом получаем усиление по току.
-- Прилагается рисунок: --