MicroCAP 9 Full

[avp94]

В режиме ключа :

До ключа еще далеко.

Кривая ломается

Ну не на раздельные части
А что собственно хочется?
К вопросу прикладывают файл, чтобы понять что там на самом деле.

[alexey-b]

А что собственно хочется?
К вопросу прикладывают файл, чтобы понять что там на самом деле.

Я пытался исследовать, что должно ожидаемо увеличивать мощность каскада (расширение диапазона тока нагрузки в пределах малого изменения напряжения на ней). Даже увеличение сечения сердечника приводит лишь к увеличению напряжения. Пробовал, при этом, снижать число витков, чтобы увеличить напряжённость поля - бесполезно. Излом всегда на 100 Омах.

[alexey-b]

Тут наткнулся на соблазнительный портал. И вот думаю : сейчас вобъёшь туда свой мобильник и потом будут постоянно снимать с него деньги.

[Aml]

А что собственно хочется?

Я тоже давно пытаюсь это понять. Пока безуспешно.

[avp94]

Излом всегда на 100 Омах.

Смотрите повнимательней - на 95 Омах.
Зависимость строится по точкам. Одна точка соответствует одной реализации в stepping. А сколько у вас там реализаций?

[Aml]

Я пытался исследовать, что должно ожидаемо увеличивать мощность каскада (расширение диапазона тока нагрузки в пределах малого изменения напряжения на ней).

Мощность растет ровно до тех пор, пока вы не загоните транзистор в насыщение.
Вы что, всерьез думаете, что если на выходе линейного усилителя уменьшать сопротивление нагрузки, то будет постоянно расти выходная мощность?

Ведь в транзисторе в активном режиме выходной ток (ток коллектора) жестко определяется током базы.
Ток базы вы не меняете, с чего бы расти току коллектора?

[kreking]

...сейчас вобъёшь туда свой мобильник и потом будут постоянно снимать с него деньги...

«Бесплатное» скачивание за номер телефона, довольно не плохо описано мошенничество.
Но, вернёмся к ключам. Статья "IGBT транзисторы" рассказывает - почему в мощных ключах не ставят биполярные транзисторы, их преимущество и недостатки. Допустим, нужно усилить ток до 100 А, при коэффициенте усиления биполярного транзистора - 5. Ток базы должен быть не менее 20 А, что накладывает некоторые ограничения на схему управления. "Расчет времени рассасывания неосновных носителей заряда в базе транзистора". При меньшей стоимости биполярных транзисторов, используют MOSFET и IGBT. Если было бы выгодно использовать биполярные транзисторы, схемы ключей собирали на них. Немного сложная статья "Расчет биполярного транзистора КТ501А", раздел "Эффект Кирка", можно посмотреть. Не плохой документ "Исследование инвертора на биполярном транзисторе", загрузил сюда, что бы не потерялся.
Оказывается, не импульсный трансформатор начало расчётов, а схемотехника инверторов, а Micro-cap - инструмент моделирования, где элементы, в том числе и импульсный трансформатор, подбираются и сравниваются для принятия решения готовой схемы. Вот и добрались до инструмента моделирования. Следовало бы показать энергетические сравнения основных схем инверторов в Micro-cap.

[bordodynov]

А как вам такие транзисторы:

[bordodynov]

bordodynov,
Тут тоже еще старый проект. Надо доделать. Получить на фиксированной нагрузке сигнал приближенный к синусу после вых. транса. Из прямоугольника на 555 CMOS таймере. Тоже ключи с вых. фильтром.

Это несколько не к месту, но зачем такой большой конденсатор?
3mF=3000uF (uF-микрофарад). Обычно у кого плохое зрение перерисовывают схему не правильно. Совсем недавно аналогичные (два конденсатора указаны как 1м) ошибки были сделаны в теме https://kazus.ru/forums/showthread.php?t=118168&page=5

[avp94]

Господа хорошие, уже было предложение multisim и связанное с ним, а также иные программы обсуждать в соответствующих ветках форума.
Это топик MicroCAP 9 Full, и соответственно обсуждаются вопросы связанные как с самой программой, так и ее применение при моделировании.