Продолжу писать свои грабли, может кому пригодится...
Температурные испытания -40..+75. На границах диапазона посыпались ошибки флэшки (MT29F2G16ABBEAH4, как на неё даташит получили - отдельная история). Пришлось писать свой тест, который действительно выявил наличие от 3 до 20 битовых ошибок записи на 256Мбайт планку. Ошибки нестабильные, но, как правило, 1 бит на страницу 2кб. Изменение таймингов памяти к улучшению работы не привело.
Решение
Путём вкуривания спецификации на ONFI и даташита на флэшку было выяснено, что забыли настроить саму микруху памяти: включить "Timing mode 4" и "HW ECC" (через SET FEATURES).
Кстати, описание команды SET FEATURES и внутренних настроек флэш имеется только у Micron и в спецификации. У Hynix и Samsung описание дополнительных команд отсутствует.
З.Ы. Насчёт микроновского даташита - ещё на этапе выбора микросхем возникла проблема с документацией. Регистрация на сайте, запрос даташита, ответ - "Вы должны быть нашим покупателем(партнером, не помню перевод), чтобы получить документацию".
На что был отвечено - "Как мы сможем покупать у вас микросхемы, если мы не имеем на них документации?", молчание и скрип мозгов по телефону, после чего даташит был получен (
Micron Confidential and Proprietary).