| Обозначение |
Параметр |
| S1-S2/I(U) |
крутизна
характеристики полевого транзистора (минимальное и максимальное значения)
измеряемые при заданном токе стока (I) или при заданном напряжении на стоке
(U). |
| I01-I02/U |
начальный
ток стока полевого транзистора (минимальное и максимальное значения) и
напряжение на стоке, при котором это значение измеряется. |
| Iз/Uз |
ток утечки
затвора при объединенных стоке и истоке и напряжение между стоком и затвором,
при котором измеряется ток утечки. |
| Cвх |
входная
емкость полевого транзистора. C11=Cзи+Cзс. |
| Cпр |
проходная
емкость полевого транзистора. C12=Cзс. |
| Cвых |
выходная
емкость полевого транзистора. C22=Cзс+Cзи. |
| (U0)Uзи/Iс |
напряжение
отсечки (U0) полевого транзистора или напряжение затвор-исток (Uзи) при
заданном токе стока (Iс). |
| Uзс |
максимально
допустимое постоянное напряжение между затвором и стоком. |
| Uзи |
максимально
допустимое постоянное напряжение между затвором и истоком. |
| Uси |
максимально
допустимое постоянное напряжение между стоком и истоком. |
| Iс |
максимально
допустимый постоянный ток стока. |
| P |
максимально
допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе. |
| S1/S2 |
Соотношение максимальной крутизны полевых
транзисторов в сборке |
| I01/I02 |
Соотношение начальных токов стока полевых
транзисторов в сборке |
