Оптимизированные под балласты ламп дневного света IGBT LightMOS™ ILx03N60 от фирмы Infineon Technologies |
|
Новые 600-вольтовые LightMOS с встроенным обратным диодом реализованы по MOS технологии с изолирующими канавками. Такая технология помещает LightMOS между IGBT и MOSFET.
|
Приборы LightMOS очень хорошо совмещаются с резонансной полумостовой топологией в применении к электронным балластам ламп дневного света и в них объединены преимущества как MOSFET , так и IGBT , что обеспечивает реализацию более дешевого решения.
По сравнению с стандартным NPT - IGBT , LightMOS технология существенно снижает потери при выключении приборов, что связано с переключением при нулевом напряжении ( ZVS ), обычно используется в балластах. С другой стороны, работа LightMOS подобно IGBT , практически не зависит от температуры.
Все это упрощает и ускоряет разработку балластов ламп дневного света, что позволяет получить эффективное решение невысокой стоимости.
Отличительные особенности:
• IGBT с монолитно объединенным диодом
• Семейство на 600 В и 3 А
• Эквивалент MOSFET на 600 В с сопротивлением 1,5 ~ 3 Ом
• Стабильная работа в условиях изменчивой температуры окружающей среды
• Устойчивость к лавинному пробою
• Малые потери
• Отсутствие тепловой перегрузки
• Более простая и быстрая разработка
• Недорогая замена MOSFET 1- to - l
• Четыре корпуса : TO-220, TO -220 FullPack, TO -252 (DPAK), TO -263 (D2PAK или TO -220 SMD)
|
Тип прибора |
V CE , В |
I C , А |
V CE ( SAT ) , В
при Tj =25 ° C |
Tj , ° C (макс) |
Корпус |
Код заказа |
|
ILP03N60 |
600 |
3,0 |
2,9 |
150 |
P-TO=220-3-1 |
Q67040-S4628 |
|
ILB03N60 |
P-TO=263-3-2 |
Q67040-S4627 |
|
|
|
|
|
ILD03N60 |
P-TO=252-3-1 |
Q67040-S4625 |
|
|
|
|
Приборы-конкуренты
|
Параметр |
SPD 03 N 60 C 3
(IFX) |
ILD03E60 (IEX) |
STP03NK60Z (STM) |
SPD04N60C3 (IFX) |
|
I Dmax , I Cmax @ 25 ° C/100 ° C |
3,2 А/2 А |
4,5 А/3 А |
2,4 А/1,51 А |
4,5 А/2 А |
|
R DS ( ON ) @ 25 ° C /100 ° C (тип) |
1,26 Ом/3,8 Ом |
2,3 В/2,7 В 1) |
1,76 Ом/ - |
0,85 Ом/2,3 Ом |
|
V GS(th) , V GE(th) ( макс ) |
3,9 В |
3,9 В |
4,5 В |
3,9 В |
|
Проводимость g fs |
3,4 s |
1,5 s |
1,8 s |
4,4 s |
|
Общий заряд затвора Q g (тип) |
13 нК |
8 нК |
11,8 нК |
19 нК |
|
Прямое напряжение диода V SD (макс) |
1,2 В |
1,5 В |
1,6 В |
1,2 В |
|
Ток диода I SD (макс) |
3,2 А |
4 А |
2,4 А |
4,5 А |
|
Эфф. емкость выхода C O ( er ) |
12 пФ |
6 пФ (C OSS ) |
26 пФ |
20 пФ |
|
Энергия переключения Eon + Eoff |
12,5 мкДж |
26 мкДж |
- |
18 мкДж |
|
Энергия лавинного пробоя |
100 мДж |
0,32 мДж |
150 мДж |
130 мДж |
1) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер V CEsat
| Источник: cec-mc.ru | Дата публикации: 24/11/2004 |
|  |
 |
Реклама на сайте |
|
Последние новости  |
[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019
[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!
[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл
[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?
[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!
[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest
Читать все новости >> |
