Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Infineon: самый маленький в мире нанотранзистор


Компании Infineon удалось добиться прорыва в создании малоразмерных структур для применения в интегральных микросхемах. Исследователи Мюнхенской лаборатории сконструировали самый маленький в мире транзистор на основе нанотрубок с длиной канала всего около 18 нм, что вчетверо меньше актуальных для сегодняшнего производства размеров. Чтобы построить такой нанотранзистор, исследователи освоили контролируемый процесс выращивания углеродных нанотрубок диаметром от 0,7 до 1,1 нм. Для сравнения – толщина человеческого волоса в 100 тыс. раз больше.

Характеристики углеродных нанотрубок делают их идеальным материалом для многих применений микроэлектроники: трубки проводят электрический ток в 1000 раз эффективнее медных проводников, кроме того, в зависимости от своей геометрии они могут выступать как проводниками, так и полупроводниками. Infineon, являющейся одним из пионеров в исследовании углеродных нанотрубок, первой среди производителей полупроводников удалось продемонстрировать, как можно выращивать трубки в точно определенном месте и как могут быть сконструированы транзисторы для переключения значительных токов.

Полученный транзистор на основе нанотрубок способен переключать ток более 15 мкА при напряжении питания всего 0,4 В (при сегодняшних нормах 0,7 В). Плотность тока получается в 10 раз большей, чем при применении кремния. На основе тестовых результатов исследователи Infineon уверены в возможности дальнейшей миниатюризации транзисторов и рассчитывают в перспективе добиться снижения напряжения питания до 0,35 В.


Источник: www.3dnews.ru | Дата публикации: 24/11/2004

Предыдущая новость: Новые импульсные диоды IR с креплением на резьбовой шпильке Следующая новость: Компания IR объявила о разработке нового МОП-транзистора IRF6607 для DC-DC конвертеров, используемых в новом поколении микропроцессоров Intel и AMD
Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»