Компания Mitsubishi Electric начала выпуск L-серии интеллектуальных модулей (IPM), предназначенных для силовой коммутации на частотах до 20 кГц.
В новую серию вошли следующие модели:
600В
1200В
PM50CLA060
PM25CLA120
PM50CLB060
PM25CLB120
PM50RLA060
PM25RLA120
PM50RLB060
PM25RLB120
PM75CLA060
PM50CLA120
PM75CLB060
PM50CLB120
PM75RLA060
PM50RLA120
PM75RLB060
PM50RLB120
PM100CLA060
PM75CLA120
PM100RLA060
PM75CLB120
PM150CLA060
PM75RLA120
PM150RLA060
PM75RLB120
По сравнению с предыдущим 4-ым поколением модулей, габаритные размеры корпуса сокращены на 32%. Кроме того, достигнуты лучшие показатели чувствительности температурной защиты, благодаря тому, что температурные датчики в модулях пятого поколения расположены в непосредственной близости от каждого транзистора.
Модули L-серии выполнены по trench-технологииCSTBT (Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor). На сегодняшний день новая серия модулей является непревзойденной по минимизации потерь: напряжение насыщения коллектор-эмиттер при 125оС сокращено до 1.5 В для модулей 600 В и до 1.9 В для модулей 1200 В. Примененная впервые схема контроля обеспечивает оптимальное питание затвора и защиту IGBT, а также оптимизирует электромагнитную совместимость и снижает эмиссию ЭМП.
Система защиты включает защиту от короткого замыкания, перегрева, а также блокировку модуля при снижении напряжения питания. Каждый IGBT-транзистор имеет индивидуальный выход ошибки. Максимально допустимые показатели по току были увеличены на 50%. Также, высокая чувствительность термо датчиков кристаллов транзисторов защищает модуль от перегрева в режиме затормаживания ротора силовой установки.
L-серия IGBT модулей, предназначенная для инверторов и сервоприводов, включает модели с рабочим током от 50 до 600 А при напряжении 600 В и модели от 25 до 450 А на напряжение 1200 В. Модули до 75 А поставляются с различным типом выводов (для пайки или с винтовыми контактами).
