Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

International Rectifier представляет DirectFET™ MOSFET транзистор для применения в высокоэффективных аудио усилителях класса «D» с высокими рабочими характеристиками


International Rectifier, IR®, мировой лидер в технологии управления питанием, сегодня представил IRF6665 DirectFET™ MOSFET транзистор для аудио усилителей класса D средней мощности.

Параметры устройства настроены специально для улучшения звуковых характеристик типа эффективность (КПД), полное гармоническое искажение (THD) и плотность мощности. Список применений усилителей класса D очень широк: от портативных изделий имеющих батарейное питание до высококачественных профессиональных усилителей, музыкальные инструменты, автомобильные и домашние мультимедийные системы.

В дополнение к оптимизированному по применению кристаллу, DirectFET технология корпусирования IR увеличивает рабочие показатели в усилителях класса «D», сокращая индуктивность выводов, что улучшает характеристики переключения и уменьшает шум электромагнитного излучения (EMI). Тепловая эффективность позволяет при 100 Ватт рабочей мощности и 8-омной нагрузке работать без радиатора. Устранение радиатора уменьшает длину электрической цепи и массогабаритные показатели, давая проектировщикам больше гибкости при выборе места расположения компонентов и попутно уменьшая стоимость усилителя.

Критические параметры MOSFET, определяющие звуковые характеристики класса «D» включают в себя такие параметры, как сопротивление открытого канала транзистора (RDSon) и заряд затвора (Qg). Эти параметры главным образом определяют эффективность (КПД) усилителя класса «D».



Наим. Тип корпуса U пробоя сток-исток BVDSS(V) R открытого канала RDS(on) typ @10V(mOhm) Ток стока ID @ Tc=25ºC(A) Полный заряд затвора QG typ.(nC) Заряд коммутации QSW typ.(nC)
IRF6665 DirectFET™ 100 51 19 8 3,5


Источник: www.compel.ru | Дата публикации: 25/12/2004

Предыдущая новость: ASUS представила линейку ноутбуков W3N Следующая новость: 9 лет за взлом WiFi
Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»