Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Высокочастотный Co-Pack IGBT, позволяющий повысить мощность силовых AC – DC импульсных преобразователей


Фирма International Rectifier ( IR ) выпустила прибор IRGP 50 B 60 PD – 600-вольтовый NPT ( non - punch - through ) биполярный транзистор с изолированным затвором ( IGBT ) и с усиленным HEXFRED диодом на 25 А ( Co - Pack ), способный работать с частотой переключения 150 кГц.

Выпуском прибора IRGP 50 B 60 PD фирма IR расширила свою линейку WARP 2™ высокочастотных Co - Pack приборов IGBT / HEXFRED диод. Возможности нового прибора расширены использованием нового HEXFRED диода с большим током, разработанного для работы в условиях высокого обратного тока. Особенностью нового Co - Pack прибора является высокая экономичность при больших токах (от 1 кВт до 12 кВт), необходимая для высокочастотных импульсных источников питания, используемых в телекоммуникационных системах и серверах.

Другими применениями могут быть устройства и схемы коррекции фактора мощности ( PFC ), мощные UPS , полномостовые первичные преобразователи, сварочная аппаратура и другие промышленные импульсные применения.

Новые WARP2 IGBT выполнены по технологии тонких подложек фирмы IR , гарантирующей более быстрое обеднение не основных носителей и быстрое выключение. Кроме того, незначительный остаточный ток выключения и малые потери выключения ( EOFF ) позволяют разработчикам получить более высокие рабочие частоты.

Улучшение характеристик переключения, в сочетании с оптимизированным (положительным) коэффициентом тепловых характеристик и более низкой емкостью заряда включения затвора, допускает более высокую плотность тока. Положительный температурный коэффициент гарантирует безопасную, надежную работу включенных параллельно приборов.  

Тип прибора

VCES

Корпус

IC при 25 ° C (экв. FET ), А

IC при 25 ° C

IC при 100 ° C

IFmax диода при 25 ° C , А

IFmax диода при 100 ° C , А

VCE ( ON ) тип. при 25º C , А

 

600

TO -247

50

75

45

65

25

2 В при 33А


Источник: cec-mc.ru | Дата публикации: 14/02/2005

Предыдущая новость: Maxim Integrated Products представила новинки MAX8600/MAX8601 Следующая новость: Высокоэффективный чипсет для телекоммуникационных DC/DC конверторов на базе 100-вольтовых моп-транзисторов DirectFET™ и мостового контроллера IR2086S

Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2021 «KAZUS.RU - Электронный портал»