Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

International Rectifier представляет усовершенствованный высокочастотный IGBT Co-Pack транзистор для получения максимального результата в мощных AC-DC преобразователях.


International Rectifier, мировой лидер в технологии создания компонентов для силовой электроники, представляет IRGP50B60PD - 600-вольтовый NPT-IGBT транзистор со встроенным 25-амперным HEXFRED диодом способным работать на частотах вплоть до 150 кГц.

IRGP50B60PD расширяет линию WARP2 – высокочастотных IGBT/HEXFRED совмещенных приборов. Новый транзистор улучшен благодаря внедрению более мощного HEXFRED диода, способного работать в условиях больших выбросов обратных токов. В дополнение, новый Co-Pack прибор позволяет получить высокий КПД в мощных (от 1 кВт до 12 кВт) высокочастотных импульсных источниках питания для телекоммуникационных и серверных систем. IRGP50B60PD может применяться в корректорах коэффициента мощности, мостовых ключевых схемах, мощных источниках бесперебойного питания, сварочных аппаратах и различных промышленных силовых устройствах.

«Мощные AC-DC серверные и телекоммуникационные цепи повышенной плотности нуждаются в высоком КПД и наличии сильных ключей для безотказной работы. WARP2 IGBT транзисторы обладают низкими потерями при выключении и малое время спада тока для получения значительно большего КПД, чем в конкурирующих устройствах, особенно на высоких частотах», сказал Стивен Оливер (Stephen Oliver), маркетинг-менеджер по AC-DC компонентам International Rectifier.

Новые WARP2 IGBT транзисторы производятся по новой технологии с применением тонкой подложки, которая гарантирует меньшее время переноса заряда и более быстрое выключение. Незначительный обратный выброс тока и низкие потери на выключении (или Eoff) дают возможность разработчикам достичь более высоких рабочих частот переключения.

Улучшение частотных свойств, в совокупности с положительным температурным коэффициентом и низким зарядом затвора, дает возможность повысить плотность тока. Положительный температурный коэффициент гарантирует надежность, безотказность, высокую эффективность и равномерное распределение тока при параллельном соединении.

Part Number VCES Package IC @ 25@ºC (FET equiv.)(A) IC@ 25ºC(A) IC@ 100ºC(A) Diode IFmax @ 25ºC(A) Diode IFmax @ 100ºC(A) VCE(ON)typ @ 25ºC(V)
IRGP50B60PD 600 TO-247 50 75 45 65 25 2V@33A


Источник: compel.ru | Дата публикации: 16/02/2005

Предыдущая новость: Выпущен мост S-ATA – USB2 Следующая новость: Корпус MIDLED SMT для IRED остронаправленного излучения и фототранзисторов

Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2021 «KAZUS.RU - Электронный портал»