Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

SEMIKRON представляет новые модули SEMiX Trench IGBT 600 В с повышенной рабочей температурой.


SEMIKRON представляет новые транзисторы IGBT технологии Trench с рабочим напряжением 600 В. В отличие от серийно выпускаемых транзисторов предельная температура кристалла новых IGBT повышена до 175°С. Новые транзисторы доступны с 4 квартала 2004 г.

Повышенная температура кристалла позволяет получить дополнительные преимущества при эксплуатации:

• больший предельный рабочий ток;

• пониженные требования к системе охлаждения;

• увеличенный ресурс.


Между рабочей температурой кристалла и сроком службы существует простая зависимость. Срок службы определяется значениями средней температуры (Tav=(Tmax-Tmin)/2) и перепада температуры (ΔT=Tmax-Tmin) при термоциклировании. Для новых модулей SEMIKRON производит испытания на термоциклирование в соответствии со стандартом IEC 60747 при перепаде температур 125°С (50°С…175°С) вместо стандартного значения перепада 100°С.

Если уменьшить эффективность охлаждающей системы, то при изменении температуры корпуса модуля в пределах 50°С…150°С, можно добиться изменения температуры кристалла с перепадом 75°С…175°С. Таким образом увеличивается средняя температура при той же предельной температуре кристалла. Зависимость количества термоциклов до отказа от перепада температуры и средней температуры кристалла (Tj) показана на рисунке.

Как показывают графики, увеличение Tj до 175°С приводит к сокращению срока службы на 50%. Это не является критичным для реальных условий эксплуатации, т.к. такая температура определяет только дополнительные возможности для пиковых кратковременных перегрузок.


Повышение допустимой температуры кристалла позволяет увеличить предельную допустимую токовую нагрузку модулей. Для новых модулей SEMiX202GB066HD это означает пропорциональное увеличение максимального тока:

• Tjmax = 150°С → Ic = 160 A

• Tjmax = 175°С → Ic = 190 A


В технических характеристиках на новые модули приводятся значения предельного тока коллектора для двух температур: 150°С и 175°С, что позволяет разработчику оптимизировать рабочие режимы эксплуатации и режимы перегрузки.


Источник: compel.ru | Дата публикации: 18/02/2005

Предыдущая новость: GSM/GPRS/EDGE OEM модуль третьего поколения Следующая новость: ISL6253 -Контроллер заряда Li-lon/Li-Polymer аккумуляторов

Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2021 «KAZUS.RU - Электронный портал»