Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Энергонезависимая память нового поколения


Фирма Fujitsu Microelectronics America , Inc (FMA) сообщила о выпуске приборов ферроэлектрической RAM ( Ferroelectric Random Access Memory – FRAM ) емкостью в 1 Мбит – приборов самой высокой, до настоящего времени, емкости.

 Для новых FRAM характерны высокоскоростные операции чтения/записи, малое потребление и длительный срок сохранности информации.

Два FRAM прибора: MB85R1001 (×8 разрядов) и MB85R1002 (×16 -разрядов), изготавливаются по структуре 1T1C с топологическими нормами 0,35 мкм.

FRAM разрабатывались в ответ на все более возрастающую потребность в энергонезависимой памяти, работающей с высоким быстродействием, малым потреблением и длительной сохранностью данных, используемой в оргтехнике, включая принтеры, копировальные устройства и портативные информационные приборы, и бытовые применения, такие как СВЧ печи и стиральные машины. FRAM , объединяющие особенности и RAM и ROM, легко поддерживают требования этих применений, включая сохранение информации защиты и мониторинг состояния.

FRAM заменяет память с батарейной поддержкой и располагает большим количеством других преимуществ, включая простой процесс производства и обслуживание. Поскольку FRAM исключают использование батарей поддержки, они экологически дружественны. Использование FRAM вместо RAM и ROM снижает затраты на разработку.

По сравнению с EEPROM , скорость записи FRAM на несколько порядков выше, в процессе записи потребление в 10 раз меньше а количество циклов перезаписи более чем в 100000 раз больше. Использование структуры ячейки 1T1C позволило фирме удвоить емкость приборов без увеличения размера кристалла.

 

MB 85 R 1001

MB 85 R 1002

Конфигурация

128K x 8

64K x 16

Диапазон рабочих напряжений, В

От 3,0 до 3,6

Диапазон рабочих температур, ° C

От –20 до 85

Время обращения при чтении, нс

100

Длительность цикла чтения/записи, нс

250

Сохранность данных

Более 10 лет

Ресурс записи/чтения

Более 10 млрд циклов

Корпус

TSOP 48, TSOP 32 (План)

TSOP 48, FBGA 48

  - Переключение / LB / UB
 

Защита по подаче питания

FRAM приборы MB85R1001 и MB85R1001 емкостью 1 Мбит, размещенные в 48-выводных корпусах FBGA и TSOP, поставляются в массовых количествах.


Источник: cec-mc.ru | Дата публикации: 21/02/2005

Предыдущая новость: Mitsubishi представила видео-кодек H.264 Следующая новость: Новые карты памяти от Sony и Lexar

Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2021 «KAZUS.RU - Электронный портал»