Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Выпущена память нового поколения, ориентированной на эффективную пересылку информации по сети


Micron Technology сообщила о выпуске DRAM с сокращенной латентностью (RLDRAM II) нового поколения, ориентированной на удовлетворение растущей потребности в расширении полосы пропускания современных популярных сетевых применений, пересылающих голос, видео и данные - известных как строенная коммуникационная услуга (triple play) – по сетям Internet.

Фирма Micron повысила емкость своих RLDRAM II сетевых приборов от 288 Мбит до 576 Мбит и повысила быстродействие с 400 до 533 МГц, при снижении латентности (задержки) с 20 до 15 нс. Сочетание этих трех улучшений позволяет обеспечить более эффективную и более быструю пересылку информации по сетям. Сетевые компании развертывают сетевые системы нового поколения, увеличивая их производительность с 3 до 10 гигабитов в секунду. Чтобы обеспечить такую производительность необходимо, чтобы технологии памяти также поддерживали такие дополнительные особенности, как сервис triple play, качество сервиса (QoS), многоадресная передача информации и, кроме того, поддерживали управление трафиком и защиту. Для такого многопланового сервиса необходима широкая полоса пропускания и масштабируемость, поддерживающие пересылку по сетям колоссальных объемов информации и, кроме того, более низкая латентность, и улучшенная производительность. RLDRAM память – это один из компонентов решения, направленного на удовлетворение чрезвычайно жеских требований рынка.

К настоящему времени образцы RLDRAM II фирмы Micron предоставлены ряду потребителей. Начало массовых поставок запланировано на первый квартал 2007 года.


Источник: www.сeс-mc.ru | Дата публикации: 10/09/2006

Предыдущая новость: Wavecom CM52 - новый «беспроводной процессор автомобильного диапазона Следующая новость: ИЗМЕРЕНИЯ НА СЛУЖБЕ ТЕХНИЧЕСКОГО ПРОГРЕССА

Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2021 «KAZUS.RU - Электронный портал»