Winbond выпустила серию псевдостатических ОЗУ W96 |
|
Компания Winbond Electronics сообщила о запуске производства псевдостатических ОЗУ (Pseudo SRAM) серии W96 рекордно-высокой емкости (256 Мбит) среди прочей доступной на рынке продукции. Расширение функциональных возможностей мобильных телефонов, как правило, связано с необходимостью увеличения емкости буферного ОЗУ. К числу таких функций относятся, например, просмотр цифровых фотографий, загрузка JAVA-игр, встроенный модуль цифровой камеры и др. Такие преимущества псевдостатических ОЗУ, как высокая емкость, низкая стоимость, повышенная скорость передачи данных и малое потребление практически вытеснили из мобильных телефонов традиционные статические ОЗУ с 6-ти транзисторными ячейками памяти и сделали их незаменимой частью кэш-памяти данных. Кроме того, во многих коммуникационных приложениях требуется экономичная память, которая обладает пониженной стоимостью, но при этом имеет увеличенный размер памяти. Именно такая тенденция будет сохраняться за псевдостатическими ОЗУ в будущем, предлагая экономичную память с рекордным соотношением емкость/стоимость.
|
В плане архитектуры псевдостатическое ОЗУ представляет собой объединение динамического ОЗУ и интерфейса стандартного статического ОЗУ. За основу ядра динамического ОЗУ взято традиционное решение, на элементарном уровне состоящее из 1 транзистора и 1 конденсатора. Интерфейс статического ОЗУ выполнен с учетом совместимости с традиционными одноименными компонентами. Помимо данных составляющих компонентов, псевдостатическое ОЗУ содержит схему регенерации, связанную с внешней схемой через интерфейс СОЗУ. За счет этого улучшено быстродействие доступа при минимуме сложностей на реализацию функции регенерации для разработчика. Псевдостатические ОЗУ производятся по существующей технологии DRAM 110 нм и 90 нм.
Псевдостатические ОЗУ характеризуются следующими особенностями:
- Высокая емкость памяти (16-256Мбит)
- Высокая частота (133МГц)
- Уменьшенные размеры кристалла (ячейка памяти состоит из 1 транзистора)
- Пониженный потребляемый ток
- Совместимость с технологией производства динамических ОЗУ
- Встроенная схема регенерации упрощает проектирование.
Псевдостатические ОЗУ Winbond отвечают существующим стандартам для этой категории продукции. В настоящее время существует три стандарта, распространяющиеся на псевдостатические ОЗУ. Кроме собственных стандартов компаний Samsung и CSOMO, наиболее распространенным на рынке является стандарт CRAM 1.0G/1.5G/2.0G альянса CellularRAM (Winbond Electronics является членом этого альянса)
Ниже приведена краткая информация по новым псевдостатическим ОЗУ емкостью 256 Мбит:
| Серийный номер |
Организация памяти |
Быстродействие |
Напряжение |
Корпус |
| W968D6B-GW |
16M x 16 |
133МГц |
Асинхр. доступ /страничный доступ/передача потока |
1.8В |
KGD |
| W968D2B-GW |
8M x 32 |
133МГц |
Асинхр. доступ/страничный доступ/передача потока |
1.8В |
KGD |
W9864G6GB
Высоко-быстродействующее синхронное динамическое ОЗУ (SDRAM) с организацией 1M x 4 банка x 16 бит
Отличительные особенности:
- Исполнение "-7" поддерживает напряжение питания 2.7В-3.6В.
- 1048576 слов x 4 банка x 16 бит.
- Ток саморегенерации: стандартный и пониженный
- Задержка CAS (строб адреса столбца) на 3 цикла.
- Длина потока: 1, 2, 4, 8 или вся страница.
- Тип потока: последовательный и чередующийся.
- Чтение потока вызывается однобитной операцией записи
- Байт данных управляется DQM.
- Экономичный режим работы.
- Автоматический предварительный заряд и управляемый предварительный заряд.
- Период регенерации 64мс/4 тыс. циклов
- Корпус: VFBGA 60 с шагом сферических выводов 0.65мм
- RoHS-совместимость.
Структурная схема:
Расположение выводов:
Общее описание:
W9864G6GB - высокобыстродействующее синхронное динамическое ОЗУ (SDRAM) с организацией 1 млн. слов x 4 банка x 16 бит. Использование конвейеризованной архитектуры и технологии 0.11 мкм позволили добиться у W9864G6GB скорости передачи данных 287 Мбайт в секунду (исполнение "-7"). W9864G2GH разделен на несколько исполнений:-5,-6,-7. Исполнение "-7" может работать с быстродействием до 143МГц/CL3.
Доступ к SDRAM организован в виде потока. Доступ к последовательным ячейкам памяти в одной странице может выполняться в виде потока длиной равной 1, 2, 4, 8 или всей страницы, при этом, банк и строка выбираются командой ACTIVE. В режиме передачи потока адреса столбцов генерируются внутри SDRAM автоматически с помощью счетчика. Возможно также чтение произвольного столбца путем предоставления его адреса каждый период синхронизации. Применение архитектуры с несколькими банками позволит чередовать работу внутренних банков, скрывая время предварительного заряда.
Использование программируемого регистра режима (Mode Register) позволит изменять длину потока, цикл задержки, выбрать чередующийся или последовательный поток для оптимизации рабочих характеристик.
Информация для заказа:
| Серийный номер |
Быстродействие (CL = 3) |
Макс. ток саморегенерации |
Рабочий температурный диапазон |
| W9864G6GB-7 |
143 МГц |
2 мА |
0°C..+70°C |
| Источник: rtcs.ru | Дата публикации: 14/11/2006 |
|  |
 |
Реклама на сайте |
|
Последние новости  |
[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019
[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!
[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл
[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?
[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!
[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest
Читать все новости >> |
