Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Winbond выпустила новых представителей семейства Low Power DRAM


Компания Winbond сообщила о выпуске ряда микросхем памяти из семейства "Low Power DRAM" (маломощные динамические ОЗУ), которые разработаны специально для выполнения требований мобильных устройств. Представленные на выставке eMEX 2006 новые представители данного семейства W988D6E/W988D2E емкостью 256 Мбит обладают следующими особенностями:

  • Серия W98 LPSDR SDRAM (маломощные синхронные динамические ОЗУ с единичной скоростью передачи данных)
  • Соответствие стандарту JEDEC
  • 256 Мбит (4M x 4 банка x 16, 2M x 4 банка x 32)
  • Низкое рабочее напряжение и напряжение ввода/вывода: 1.8В
  • Максимальная рабочая частота 133 МГц

За последние годы существенно пересмотрены требования к мобильным телефонам. Для выполнения таких современных функций, как цифровая камера, мультимедийные функции, связанные с форматом MP3, поддержка новых коммуникационных стандартов 3 поколения и мобильное ТВ требуется существенное увеличение емкости памяти. Таким образом, микросхемы семейства "Low Power DRAM" вполне отвечают данному требованию.

Помимо мобильных телефонов представленные микросхемы могут использоваться в смарт-фонах, цифровых камерах, GPS-устройствах, MP3-плеерах, персональных цифровых помощниках и др.

В отличие от псевдостатических ОЗУ, для которых нет общепринятого стандарта, микросхемы "Low Power DRAM" отвечают требованиям JEDEC, как по функционированию, так по расположению выводов, что облегчит разработчику поиск эквивалентных замен.

Отличительные особенности:

  • Напряжение питания 3.3В± 0.3В для исполнений "-5/-6" и 2.7В-3.6В для исполнений "-7/ -7S".
  • Интерфейс: LVTTL (низковольтный ТТЛ).
  • Четыре банка памяти.
  • Задержка CAS (строб адреса столбца) на 3 цикла.
  • Длина потока (1, 2, 4, 8 или вся страница).
  • Тип потока (последовательный и чередующийся).
  • Чтение потока вызывается однобитной операцией записи
  • DQM для маскирования.
  • Автоматическая регенерация и саморегенерация.
  • Период регенерации 64мс (4 тыс. циклов)
  • W9864G2GH использует материалы без содержания свинца
  • Все входы оцифровываются по нарастающему фронту системной синхронизации.

Структурная схема:

Структурная схема W9864G2GH

Расположение выводов:

Расположение выводов W9864G2GH

Общее описание:

W9864G2GH - высокобыстродействующее синхронное динамическое ОЗУ (SDRAM) с организацией 512 кслов x 4 банка x 32 бит. Использование конвейеризованной архитектуры и технологии 0.11 мкм позволили добиться у W9864G2GH скорости передачи данных 800 Мбайт в секунду. W9864G2GH разделен на несколько исполнений:-5,-6,-7. Исполнение "-5" может работать с быстродействием до 200МГц/CL3, "-6" - до 166 МГц/CL3, а "-7" - до 143МГц/CL3.

Доступ к SDRAM организован в виде потока. Доступ к последовательным ячейкам памяти в одной странице может выполняться в виде потока длиной равной 1, 2, 4, 8 или всей страницы, при этом, банк и строка выбираются командой ACTIVE. В режиме передачи потока адреса столбцов генерируются внутри SDRAM автоматически с помощью счетчика. Возможно также чтение произвольного столбца путем предоставления его адреса каждый период синхронизации. Применение архитектуры с несколькими банками позволит чередовать работу внутренних банков, скрывая время предварительного заряда.

Использование программируемого регистра режима (Mode Register) позволит изменять длину потока, цикл задержки, выбрать чередующийся или последовательный поток для оптимизации рабочих характеристик.

Информация для заказа:

Серийный номер Быстродействие (CL = 3) Макс. ток саморегенерации Рабочий температурный диапазон
W9864G2GH-5 200 МГц 2 мА 0°C..+70°C
W9864G2GH-6 166 МГц 2 мА 0°C..+70°C
W9864G2GH-7 143 МГц 2 мА 0°C..+70°C


Источник: rtcs.ru | Дата публикации: 19/11/2006

Предыдущая новость: Winbond запускает производство высокоинтегрированных 32-разрядных однокристальных микроконтроллеров W90P710/W90N745 Следующая новость: Микроконтроллер NXP Semiconductors с двумя независимыми шинами ускоряет обмен данными

Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2021 «KAZUS.RU - Электронный портал»