Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Freescale Semiconductor выпустила первую в мире микросхему памяти на основе магниторезистивных структур (MRAM)


Компания Freescale Semiconductor выпустила первую в мире микросхему памяти на основе магниторезистивных структур (MRAM) - автономный модуль MR2A16A с объёмом памяти 4 мегабита. Новый тип памяти обладает уникальным набором характеристик - энергонезависимость при неограниченном количестве циклов и высокой скорости записи.

Данная технология памяти, использующая магнитные моменты для сохранения состояния битов вместо электрических зарядов, стала полностью пригодна для коммерческого использования.

Внешний вид корпуса 44-TSOP микросхемы MR2A16A

Технология MRAM обладает всеми необходимыми свойствами для того, чтобы стать «универсальной   памятью», успешно совмещая в себе основные преимущества различных типов энергонезависимой  и  оперативной  памяти. Кроме того, существует ряд уникальных особенностей, открывающих широкие рыночные перспективы для данного устройства.

На сегодняшний день, доступен первый законченный продукт микросхемы MRAM -  MR2A16A с объемом памяти 4 Мбит. Пока данная микросхема выпускается только в температурном диапазоне 0 - 70°С. В июле 2007 года планируется появление микросхемы с расширенным температурным диапазоном. А ближе к концу 2007 года должны появиться  новые микросхемы памяти MRAM. Предположительно это будут модули памяти объемом 1 и 16 Мбит.

Энергонезависимая память с практически неограниченным числом циклов чтения/записи (более1016)
Неразрушающие чтение /запись
Симметричные временя циклов  чтения/записи/стирания,нс 35
По-битовое стирание со скоростью до 28 Мбит/сек
Объем памяти, Мбит 4
Организация памяти, Kб х бит 256 x 16
Шина данных, бит 8 / 16, настраиваемая
Время хранения информации, лет более 10
Напряжение питания, В 3.0...3.6
Слежение за пониженным напряжением Да
Совместимость по выводам SRAM
Рабочий температурный диапазон, oС 0 ...70 (с Q3'2007 - -40 до +105)
Корпус 44-TSOP, RoHS, внутреннее экранирование
Выводы микросхемы TTL совместимые
Поддержка статических операций Да


Источник: compel.ru | Дата публикации: 19/04/2007

Предыдущая новость: Atmel представила автономный LIN2.0 трансивер с наилучшими в промышленности характеристиками электромагнитной совместимости Следующая новость: Российским производителям микроэлектроники нужно не только преодолеть технологическое отставание, но и правильно организовать сбыт своей продукции
Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»