Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

MOSFET с быстрым восстановлением от STM снижают последовательное сопротивление


Компания STMicroelectronics разработала новое семейство MOSFET с быстрым восстановлением, сочетающим улучшенные коммутационные характеристики со сниженным на 18% по отношению к существующим устройствам последовательным сопротивлением для удовлетворения потребностей экономичных приложений, включая контроллеры с возобновляемой энергией.

Первым устройством в новом семействе Super-Junction FDmesh II является STW55NM60ND - N-канальный MOSFET на напряжение 600В в стандартном корпусе TO-247, претендующий на лучшее в отрасли значение сопротивления в прямом направлении (60мОм) для MOSFET с быстрым восстановлением. Пиковый ток стока величиной 51A позволяет одному MOSFET заменить множество компонент в преобразователях, имеющих жесткие ограничения по габаритам, типа систем связи и серверов.

Все это, в сочетании с преимуществами в решении тепловых проблем за счет снижения потерь, позволяет существенно поднять плотность мощности.  Для улучшения характеристик ST модифицировал архитектуру своего FDmesh super-junction путем объединения вертикальной конструкции MOSFET с типовой полосковой структурой, имеющей, к тому же, более устойчивый к внешним воздействиям и наибольшее быстродействие встроенный диод. Благодаря минимизации емкости, заряда и входного сопротивления затвора кроме уменьшения величин прямого сопротивления и времени восстановления повысилась частота переключения транзистора и снизилась мощность возбуждения.

Для обеспечения большей надежности в момент переключения приборы получили более высокое быстродействие в условиях низкой нагрузки, особенно в мостовых топологиях с переключением при нулевом напряжении (ZVS). Будущие приборы с такой топологией будут иметь дополнительные варианты корпусов и значений тока в сочетании с наилучшими значениями прямого сопротивления, обеспечивающими  минимальное время восстановления MOSFET для каждого вида корпуса.

В ближайшее время появится STP30NM60ND в корпусе TO-220, рассчитанный на ток стока 25A при значении прямого сопротивления 130мОм, а также STD11NM60ND в корпусе DPAK для поверхностного монтажа для токов до 10A при значении прямого сопротивления 45мОм.

ST планирует введение дополнительных приборов в серию FDmesh II, с целью повышения интервала рабочих напряжений и токов для приборов в стандартных промышленных корпусах.


Источник: terraelectronica.ru | Дата публикации: 06/08/2008

Предыдущая новость: Последовательная EEPROM-память Microchip имеет однопроводную шину Следующая новость: Контроллер прикосновений компании Omron обрабатывает различные типы переключателей

Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2020 «KAZUS.RU - Электронный портал»