Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Atmel представила первую в мире последовательную флэш-память на 1.8 В емкостью 8 Мегабит


Компания Atmel сообщила о доступности новой последовательной флэш-памяти AT25DF081 емкостью 8 Мбит, которая рассчитана на работу от низковольтного источника питания (1.8 В). Диапазон рабочего напряжения ИС AT25DF081 (1.65…1.95В) совпадает с большинством современных, выпускаемых по технологии менее 90 нм, ASIC и процессоров/контроллеров. Благодаря этому, у разработчиков появится возможность создавать более дешевые системы, в которой все компоненты работают от одного источника питания.

В отличие от ИС, у которых заявлена возможность работать при пониженных напряжениях, но с более худшими рабочими характеристиками, AT25DF081 была специально разработана для работы при напряжении 1.8 В и обладает столь же высокими характеристиками, что и ее 3В-ые эквиваленты.

AT25DF081 разработана с учетом требований клиентов Atmel, которые используют флэш-память для совмещенного хранения кода программы и данных в портативных пользовательских устройствах с батарейным питанием, как например, персональные медиа-плееры и смартфоны. ИС AT25DF081 отвечает всем требованиям, которые предъявляют при выборе последовательной флэш-памяти для применения в портативных устройствах. Ее наиболее важной особенностью является возможность теневого хранения кода программы и быстродействующего его перезагрузки в ОЗУ при подаче питания, что позволит сократить до минимума промежуток времени от подачи питания до полной готовности устройства к работе. Это стало возможным, благодаря работе AT25DF081 на частоте до 66 МГц. На такой частоте время считывания всего содержимого памяти составляет всего лишь 130 миллисекунд.

Способность AT25DF081 работать при напряжении питания 1.8 В позволяет решить наиболее типичные для проектирования портативной техники проблемы. Система, все компоненты которой будут работать от одного источника питания напряжением 1.8 В, будет обладать наименьшим потреблением и наиболее эффективно расходовать энергию батарейного источника. Кроме того, за счет упрощения каскадов электропитания и исключения из схемы одного LDO-стабилизатора (с малым минимальным перепадом напряжения) и связанных с ним пассивных компонентов, которые обычно применяются в системах с 3В-ой последовательной флэш-памятью, появится возможность уменьшить размеры платы, ее вес и себестоимость системы. Более того, поскольку AT25DF081 способна работать от того же напряжения питания, что и ASIC или процессор/контроллер, исключается потребность применения преобразователей уровней на линиях управления и передачи данных, что делает конечное решение еще более выгодным.

"С момента представления компанией Atmel в 1997 году первой в мире ИС флэш-памяти с последовательным интерфейсом доступа мы сохраняли свои лидерские позиции в разработке последовательной флэш-памяти и неустанно работали над совершенствованием ее ассортимента в тесном сотрудничестве с нашими клиентами, что дало нам в итоге возможность создать продукцию, адекватную современным требованиям", - отметил директор по стратегическому маркетингу бизнес-подразделения запоминающих устройств компании Atmel Ричард де Каро. "AT25DF081 - типичный пример продукции, созданной с учетом всех пожеланий наших клиентов. С ее помощью проектируемая продукция сможет стать более компактной, легкой и экономичной без ухудшения каких-либо рабочих характеристик ", - продолжил де Каро.

ИС AT25DF081 доступна в настоящее время, как в единичных, так и в производственных количествах. AT25DF081 предлагается в трех корпусах: 8-выводной SOIC (узкая версия, ширина 150 мд), 8-выв. UDFN (5мм x 6мм x 0.6мм) и сверхминиатюрный 11-выв. корпус dBGA (WLCSP, высота 0.4 мм).

Отличительные особенности:

  • Одно напряжение питания 1.65…1.95 В
  • Совместимость с последовательным интерфейсом SPI
    • Поддержка режимов SPI 0 и 3
  • Максимальная частота синхронизации 66 МГц
  • Гибкая архитектура с возможностями стирания блоков различных размеров, в т.ч.
    • Блоки размером 4 кбайт
    • Блоки размером 32 кбайт
    • Блоки размером 64 кбайт
    • Стирание всего массива памяти
  • Раздельная защита секторов с возможностью установки и снятия общей защиты
    • Шестнадцать физических секторов размером 64 кбайт
  • Аппаратно-управляемая блокировка защищенных секторов
  • Гибкое программирование
    • Побайтное/постраничное программирование (1…256 байт)
  • Автоматическое выявление и сигнализация ошибок стирания/программирования
  • Возможности идентификации производителя и типа ИС по JEDEC-совместимым кодам
  • Малый потребляемый ток
    • 7 мА в активном режиме чтения (тип. знач.)
    • 8 мкА в режиме глубокого отключения (тип. знач.)
  • Износостойкость: 100 тыс. циклов программирования/стирания
  • Хранение данных: 20 лет
  • Промышленный температурный диапазон
  • Экологически безопасные корпуса (без содержания свинца и галоидных соединений, RoHS-совместимые)
    • 8-выв. SOIC (ширина 150 мд)
    • 8-выв. ультратонкий DFN (5 мм x 6 мм x 0.6 мм)
    • 11-выв. dBGA (WLCSP)

Структурная схема:

Структурная схема AT25DF081

Расположение выводов:

Расположение выводов AT25DF081

Описание:

AT25DF081 - флэш-память с последовательным интерфейсом доступа. Она рассчитана на использование в широком числе высокосерийных пользовательских применений с теневым хранением кода программы (хранится во флэш-памяти, а после подачи питания загружается во внешнюю или внутреннюю оперативную память для исполнения). У AT25DF081 реализована гибкая архитектура стирания блоков памяти различных размеров (минимально 4 кбайт), что позволяет исключить из схемы дополнительные ЭСППЗУ для хранения данных.

Размеры секторов и стираемых блоков оптимизированы под потребности современных применений с хранением данных и кода программы. Благодаря этой оптимизации, пространство памяти может использоваться более эффективно. В данном случае, модули кодов программы и сегменты данных могут находиться по соседству в пределах своих собственных защищенных секторов, что существенно снижает, свойственные флэш-памяти с большими размерами секторов и блоков, неиспользуемые объемы памяти. Таким образом, при прочих равных условиях, благодаря более высокой эффективности использования объемов памяти, появляется возможность хранения дополнительных подпрограмм и сегментов данных.

Информация для заказа AT25DF081 в корпусах:

Информация для заказа AT25DF081 в корпусах

Информация для заказа AT25DF081 в виде кристаллов:

Информация для заказа AT25DF081 в виде кристаллов


Источник: rtcs.ru | Дата публикации: 02/09/2008

Предыдущая новость: MAX13046E и MAX13047E одно- и двухканальные, двунаправленные преобразователи уровней с защитой от статического разряда ±15кВ и низким рабочим напряжением в компактном корпусе Следующая новость: Адаптер для ноутбука 65W на микросхеме TOP258EN от Power Integrations

Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2021 «KAZUS.RU - Электронный портал»