FDMS86350 — N-канальные PowerTrench® MOSFET-транзисторы на основе карбида висмута (BiC) на 80 В, 130А от компании Fairchild Semiconductor

Новые N-канальные MOSFET-транзисторы компании Fairchild Semiconductor произведены с использованием запатентованного технологического процесса Power Trench®, позволяющего минимизировать сопротивление открытого канала и обеспечить низкие потери на переключение. Кроме того, при производстве данных транзисторов применяется фирменная технология размещения кристаллов мощных силовых схем в стандартных корпусах типа PQFN размерами 5 х 6 мм, также способствующая снижению значения RDS(ON).

N-канальный MOSFET-транзистор FDMS86350

Отличительные особенности FDMS86350:

Максимальное остаточное сопротивление открытого канала:
- R_DS(ON) = 2.4 мОм, при V_GS = 10 В, I_D = 25 А
- R_DS(ON) = 3.2 мОм, при V_GS = 8 В, I_D = 22 А
Улучшенная конструкция корпуса и использование особого соединения кремния снижают сопротивление канала и повышают КПД транзистора
Корпус с повышенной влагостойкостью, соответствует уровню влажности MSL1
Соответствие требованиям директивы RoHS

Область применения FDMS86350:

Силовые каскады импульсных источников питания
Синхронные выпрямители
Коммутаторы нагрузки
Ключевые каскады управления электродвигателями

Источник: gaw.ru | Дата публикации: 05/12/2013

Предыдущая новость: Microchip представила семейство высокопроизводительных микроконтроллеров PIC32MZ

Следующая новость: KE02 — новая серия 32-битных микроконтроллеров семейства Kinetis от Freescale Semiconductor

Реклама на сайте

Последние новости

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>