Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

ALD210800A/ALD210800 - новые прецизионные сборки MOSFET, работающие при напряжении питания менее 100 мВ


Advanced Linear Devices (ALD) анонсировала выпуск первых в отрасли малосигнальных прецизионных согласованных сборок MOSFET с независимыми выводами управления каждым из четырех транзисторов, размещенных в одном корпусе. Эти инновационные приборы откроют новые возможности создателям следующих поколений устройств сбора энергии и маломощных мобильных устройств.

Прецизионные сборки N-канальных MOSFET ALD210800A/ALD210800 с нулевым напряжением порога устанавливают новые отраслевые стандарты проходной и выходной проводимости. Изготавливаемые по разработанной ALD КМОП технологии EPAD, сборки позволят конструкторам создавать схемы с ультранизкими, никогда ранее не доступными напряжениями питания.

Advanced Linear Devices - ALD210800

 

Следующие уникальные особенности приборов могут изменить традиционные правила игры для схемотехников:

  • Пороговое напряжение затвора VGS(TH) с высокой точностью установлено на уровне 0.00 В ±0.01 В
  • Типовое рассогласование пороговых напряжений 2 мВ, максимальное – 10 мВ
  • Работа в подпороговых и нановаттных режимах
  • Параметры, открывающие революционные возможности:
    • Минимальное рабочее напряжение ниже 100 мВ
    • Минимальный рабочий ток ниже 1 нА
    • Минимальная рабочая мощность менее 1 нВт

Влияние на схемотехнику

Независимое управление каждым транзистором прибора изменит подход к разработке схем благодаря возможности индивидуальной установки входных и выходных характеристик.

Прецизионные сборки N-канальных MOSFET ALD210800A/ALD210800 дадут разработчикам возможность сократить количество аккумуляторов, необходимых для их мобильных устройств. Уникальная гибкость новых устройств позволит повысить энергоэффективность медицинских приборов, улучшить качество звучания головных телефонов премиум-класса и потребительских устройств, расширить рабочий диапазон устройств сбора энергии, повысить чувствительность сенсорных матриц и поднять на новый уровень качества еще множество низковольтных микромощных приложений.

Конструкторы, использующие сборки ALD210800A/ALD210800, смогут создавать многокаскадные схемы, работающие при экстремально низких напряжениях питания и смещения. Теперь появляется возможность построить нановаттный входной каскад усилителя, работающий при напряжении питания менее 0.2 В, – это новый рекорд отрасли.

Технологические особенности

Новые сборки ALD210800A/ALD210800, фактически, на новом качественном уровне продолжают линейку согласованных пар MOSFET ALD110800A/ALD110800 – первых в отрасли приборов с нулевым напряжением порога, предназначенных для создания устройств с ультра низким напряжением питания. Первостепенное внимание разработчики транзисторов уделяли согласованию характеристик MOSFET. В результате были созданы приборы с исключительно точным пороговым напряжением затвора 0.00 В ±0.01 В, током стока +10 мкА при напряжении сток-исток 0.1 В и типовым напряжением смещения ±1 мВ.

Кроме того, транзисторы ALD210800A/ALD210800 могут использоваться в качестве универсальных элементов самых различных аналоговых узлов, таких, как токовые зеркала, схемы согласования, источники тока, входные каскады дифференциальных усилителей, передаточные логические элементы и мультиплексоры. Приоритетными областями применения приборов могут быть также приложения с ограниченным рабочим напряжением, например, фиксаторы уровней очень малых напряжений и постоянно включенные схемы с нановаттным потреблением мощности.

Характеристики каждого отдельного MOSFET строго контролируются в процессе изготовления, что позволяет гарантировать идентичность параметров даже для приборов из разных производственных партий. Приборы, создававшиеся с акцентом на минимизацию напряжения смещения и чувствительности к температуре, могут использоваться в усилительных и переключательных схемах с напряжением питания от +0.1 В до +10 В (от ±0.05 до ±5 В), требующих низких токов смещения, малых входных емкостей и высоких скоростей переключения. Транзисторы сборок работают в режиме обогащения при VGS > 0.00 В и в обедненном режиме при VGS < 0.00 В.


Источник: rlocman.ru | Дата публикации: 10/12/2013

Предыдущая новость: MGC3130 – первый в мире контроллер, поддерживающий технологию распознавания жестов в пространстве GestIC Следующая новость: MCP8024 - выполняет все основные функции в системе управления электродвигателем

Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2021 «KAZUS.RU - Электронный портал»