NGTB50N60FWG — IGBT транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора до 50 A

NGTB50N60FWG - биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для систем электронного зажигания, вспышек, управления двигателями и других сильноточных приложений с импульсным режимом работы.

Новый IGBT-транзистор NGTB50N60FWG выполнен на основе надёжной и эффективной по стоимости технологии Trench и обеспечивает максимальную эффективность при использовании в требовательных устройствах с импульсным режимом работы. NGTB50N60FWG отличается низким остаточным напряжением коллектор-эмиттер и минимальными потерями на переключение.

NGTB50N60FW

Отличительные особенности NGTB50N60FWG:

Сверхнизкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCEsat
Снижает рассеиваемую мощность системы
Минимальные потери на переключение
Встроенный быстровосстанавливающийся шунтирующий диод
Выдерживает режим короткого замыкания в схеме в течение 5 мкс

Область применения NGTB50N60FWG:

Солнечные инверторы
Управление электродвигателями
Бесперебойные источники питания (UPS)

Источник: www.gaw.ru | Дата публикации: 13/03/2014

Предыдущая новость: LSM333D — высокоинтегрированная инерциальная система ориентации семейства iNEMO с девятью степенями свободы

Следующая новость: NCP6922C — 4-канальный контроллер питания с управлением посредством I2C интерфейса от ON Semiconductor

Реклама на сайте

Последние новости

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>