SiA936EDJ - сдвоенные 20-вольтовые миниатюрные MOSFET с наименьшим в отрасли сопротивлением канала

Vishay Intertechnology представляет новый сдвоенный мощный n-канальный MOSFET семейства TrenchFET в миниатюрном корпусе PowerPAK SC-70 с уменьшенным тепловым сопротивлением. Созданный, чтобы уменьшить занимаемое пространство и увеличить эффективность преобразования энергии в портативных устройствах, SiA936EDJ обладает минимальным в отрасли сопротивлением открытого канала среди 20-вольтовых приборов с напряжениями затвора 4.5 и 2.5 В и размерами корпуса 2 × 2 мм.

Особенности SiA936EDJ:

Низкое сопротивление канала при логических уровнях управления
Способствует более эффективному использованию мощности и увеличению времени работы от батареи
Встроенная защита от электростатического разряда до 2000 В
Два MOSFET, интегрированных в компактном корпусе PowerPAK SC-70
Миниатюрный корпус размером 2.05 × 2.05 мм с уменьшенным тепловым сопротивлением
100% контроль сопротивления затвора
Не содержит галогенов в соответствии с JEDEC JS709A
Соответствует требованиям директивы RoHS2 (2011/65/EU)

Основные параметры SiA936EDJ:

Напряжение сток-исток: 20 В
Напряжение затвор-исток: ±12 В
Сопротивление открытого канала:
- максимум 34 мОм при 4.5 В
- максимум 37 мОм при 3.7 В
- максимум 45 мОм при 2.5 В
Переключатели заряда и нагрузки
DC/DC преобразователи
H-мосты
Защита батарей

Схемы популярных приложений для SiA936EDJ:

Переключатель нагрузки	Ключи DC-DC преобразователя

Маленький размер Малое падение напряжения при постоянной и переменной нагрузке	Компактный корпус для ограниченного размера платы Интегрированное решение снижает количество компонентов

Перспектива

В миниатюрном корпусе SiA936EDJ сочетаются очень низкое сопротивление канала с встроенной защитой от статического электричества до 2000 В. Сопротивление открытого канала при 2.5 В на 11.7% меньше, чем у ближайшего аналога с максимальным напряжение затвор-исток (UGS) 8 В, и на 15.1% меньше чем у ближайшего аналога с UGS = 12 В. Такие низкие значения сопротивления канала позволяют разработчикам получать более низкие значения падения напряжения в схемах, что способствует снижению потерь энергии и увеличению времени автономной работы. Дополнительно, интеграция двух транзисторов в одном миниатюрном корпусе упрощает конструкцию, снижает общее количество компонентов и уменьшает занимаемое на плате пространство.

Источник: www.rlocman.ru | Дата публикации: 16/04/2014

Предыдущая новость: VOW3120-X017T - новый оптоэлектронный IGBT/MOSFET драйвер для высоковольтных приложений от Vishay

Следующая новость: CDMCB/DS и CDMC/DS – новые низкопрофильные дроссели от Sumida

Реклама на сайте

Последние новости

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>