Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

SiA453EDJ - 30-вольтовый p-канальный MOSFET компании Vishay имеет самое низкое в отрасли сопротивление канала


Компания Vishay Intertechnology представила новый мощный 30-вольтовый p-канальный MOSFET семейства TrenchFET в ультракомпактном корпусе с улучшенным теплоотводом PowerPAK SC-70. С минимальным в индустрии сопротивлением канала при напряжениях затвора 4.5 В и 2.5 В среди 30-вольтовых приборов в корпусах 2 × 2 мм, SiA453EDJ создан для снижения размеров и повышения КПД портативной электроники.

Максимальное напряжение сток-исток 30 В приборов, анонсированных Vishay Siliconix, обеспечивает необходимый запас устойчивости к импульсным перенапряжениям, а допустимое напряжение затвора 12 В обеспечивает низкое сопротивление канала при –3.7 В и –2.5 В в портативных приложениях с питанием от батарей. MOSFET оптимизирован для использования в коммутаторах нагрузки, ключах защиты входов, зарядных устройствах и DC/DC преобразователях смартфонов, планшетов, мобильных компьютеров, приводах жестких дисков и других устройств, включая электрические зубные щетки, бритвы, сканеры и считыватели RFID. SiA453EDJ имеет экстремально низкое сопротивление канала 18.5 мОм (при напряжении на затворе –10 В), 23.5 мОм (–4.5 В), 26.0 мОм (–3.7 В) и 37.7 мОм (–2.5 В) и обеспечивает встроенную защиту от электростатических разрядов до 4000 В.



Сопротивление канала SiA453EDJ при напряжении на затворе –4.5 В на 36% меньше, чем у ближайшего 30-вольтового аналога конкурентов, и на 50% ниже чем у ближайшего конкурента при –12 В на затворе. При –2.5 В на затворе сопротивление канала MOSFET на 46% лучше, чем у конкурирующих приборов с максимальным напряжением затвора 12 В. Такие рекордно низкие для отрасли величины позволят разработчикам снижать до минимума падения напряжения, что приведет к более эффективному использованию энергии и увеличению времени работы от батарей, в то время как компактный корпус PowerPAK SC-70 сэкономит пространство на печатной плате.

100% приборов проходят проверку на соответствие тестам Rg и UIS. Транзисторы, в соответствии с определением JEDEC JS709A, не содержит галогенов, и удовлетворяют требованиям директивы RoHS 2011/65/EU. 


Источник: www.rlocman.ru | Дата публикации: 11/05/2014

Предыдущая новость: ON Semiconductor представила устройства защиты от статического электричества для высокоскоростных интерфейсов следующего поколения Следующая новость: MCP8063 – мощный и высокоэффективный интегральный драйвер электродвигателя, отвечающий требованиям стандарта AEC-Q100 для автомобильных приложений
Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»