Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

TC58Bxxxx BeNAND — недорогая NAND FLASH память с одноуровневой организацией ячеек и встроенным блоком коррекции ошибок, выполненная по техпроцессу 24 нм


Успехи компании Toshiba в технологии Flash-памяти позволили ей создать NAND-память с одноуровневой структурой ячеек (SLC), которая имеет большое количество циклов перезаписи и долгий срок хранения данных. Этот тип памяти особенно подходит для работы с важной или часто используемой информацией.

Для систем и приборов, имеющих продолжительный режим работы и экстремально высокую пропускную способность данных между хостом и запоминающим устройством, память типа SLC NAND FLASH от компании Toshiba является наиболее подходящим решением. Новая фирменная технология BENAND™ позволяет исключить блок обработки ошибок из хост-процессора и перенести его непосредственно в память, сохранив при этом спецификацию интерфейса обмена данными, высокую надёжность и производительность, соответствующую SLC-памяти без дополнительных блоков обработки. Помимо этого данная технология позволяет применять SLC NAND-память на основе техпроцесса 24 нм для тех платформ, которые не поддерживают более высокую разрядность кода коррекции ошибок.



Сравнение структуры BENAND™ и стандартной SLC NAND памяти


Отличительные особенности:

  • Объем памяти: от 1 Гбит до 8 Гбит
  • NAND FLASH память с одноуровневой структурой ячеек (SLC) и встроенным 8-битным блоком аппаратной коррекции ошибок (ECC)
  • Имеет такую же производительность, надёжность, аппаратный интерфейс и корпус, как и SLC-память без коррекции ошибок
  • Передовой технологический процесс 24 нм для оптимизации стоимости
  • Долгий срок хранения данных и большое количество циклов перезаписи
  • Напряжение питания: 3.3 В или 1.8 В
  • Диапазон рабочих температур: -40°C…+85 


Источник: www.gaw.ru | Дата публикации: 22/06/2014

Предыдущая новость: BQ24232H — USB-совместимое зарядное устройство для литиевых аккумуляторов напряжением 4.35 В с контроллером питания питания Следующая новость: VSMY98545 — мощный инфракрасный светодиод с длиной волны излучения 850 нм для поверхностного монтажа от Vishay
Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»