Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Vishay Intertechnology анонсирует первые 500-вольтовые MOSFET, основанные на технологии Super Junction


Vishay Intertechnology объявила о выпуске первых транзисторов из нового семейства 500-вольтовых MOSFET, имеющих такие же низкие потери проводимости и переключения, как и выпускаемые компанией 600- и 650-вольтовые приборы серии «Е».

Низкое сопротивление открытого канала и малый заряд затвора новых транзисторов будут иметь большое значение для экономии энергии в мощных высококачественных потребительских устройствах, осветительных приборах и в импульсных источниках питания компьютеров.

Основанные на втором поколении технологии Vishay Super Junction, новые 500-вольтовые MOSFET SiHx25N50E дополняют существующую 500-вольтовую серию «D», изготавливаемую по высококачественной планарной технологии. Сопротивление открытого канала транзисторов нового семейства равно145 мОм, а максимальный ток стока – 25 А. Доступны различные варианты корпусов, включая TO-220 и ТО-247АС, а также оптимизированные для низкопрофильных продуктов тонкие корпуса TO-220 FULLPAK.



Новые приборы отличаются сверхнизким зарядом затвора, равным 57 нКл, и малым временем включения – ключевыми показателями качества MOSFET, используемых в силовых преобразователях. Так же как в 600- и 650-вольтовых транзисторах серии «E», низкое сопротивление открытого канала и оптимизированная скорость переключения 500-вольтовых устройств могут увеличить КПД и плотность мощности в корректорах коэффициента мощности, прямоходовых мостовых конвертерах и обратноходовых преобразователях.

Компоненты соответствуют требованиям директивы RoHS, имеют повышенную устойчивость к высокоэнергетическим импульсам в режимах переключения и лавинного пробоя и проходят стопроцентную проверку на отсутствие к защелкивания при коммутации индуктивной нагрузки. 


Источник: www.rlocman.ru | Дата публикации: 06/10/2014

Предыдущая новость: ML610Q304 — маломощные микроконтроллеры с интегрированным усилителем D-класса от LAPIS Semiconductor Следующая новость: PTAC240502FC — новый асимметричный транзистор идеально подходящий для 5-Вт систем мобильной связи с малыми сотами

Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2021 «KAZUS.RU - Электронный портал»