Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

NXP выпустила первые транзисторы с низким напряжением насыщения в корпусах DFN2020


NXP объявила о выпуске первых транзисторов с низким напряжением насыщения в новых корпусах DFN2020D-3 (SOT1061D), предназначенных для пайки к торцевым поверхностям контактов. Допустимое напряжение коллектор-эмиттер обоих транзисторов PBSS4330PAS и PBSS5330PAS равно 30 В, а напряжение насыщения в определенных режимах нормируется на уровне 45 мВ.

Помимо большого допустимого тока 3 А и высокого коэффициента усиления тока базы, даже при больших токах достигающего 500, транзисторы отличаются улучшенными характеристиками паяемости.

Новые транзисторы стали первыми из приборов NXP с низким напряжения насыщения, выпускающимися в небольших безвыводных пластиковых корпусах DFN2020D-3 (SOT1061D), пригодных для автоматизированного оптического контроля (AOI) качества паяных соединений, особенно востребованного в автомобильной промышленности. Приборы удовлетворяют требования стандарта AEC-Q101, регламентирующего параметры устройств для систем автоэлектроники, и сохраняют гарантированные характеристики при рабочих температурах до 175 °C.

Портфель пригодных для AOI транзисторов в корпусах DFN2020D-3 будет расширен в конце года за счет включения в него приборов средней мощности с низким напряжением насыщения, а несколько позднее к нему добавятся транзисторы с напряжениями коллектор-эмиттер до 100 В.

Особенности и преимущества:

  • Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер
  • Большой постоянный и импульсный ток коллектора
  • Высокий коэффициент передачи тока при больших токах коллектора
  • Высокая эффективность, обусловленная малым тепловыделением
  • Рабочая температура перехода до 175 °C
  • Меньшая площадь, занимаемая на печатной плате
  • Миниатюрный безвыводной пластиковый корпус DFN2020D-3 для поверхностного монтажа с контактами для пайки к торцевым поверхностям
  • Вскрытое теплоотводящее основание для улучшения тепло- и электропроводности
  • Пригодны для автоматизированного оптического контроля качества паяных соединений
  • Соответствуют требованиям стандарта AEC-Q101

Основные области применения:

  • Коммутаторы нагрузки
  • Устройства с батарейным питанием
  • Устройства управления питанием
  • Зарядные устройства
  • Силовые ключи схем управления моторами и вентиляторами 


Источник: www.rlocman.ru | Дата публикации: 05/11/2014

Предыдущая новость: LTC6268 и LTC6269 – операционные усилители с фемтоамперными входными токами и полосой 500 МГц от Linear Technology Следующая новость: LT8705 — синхронный повышающе-понижающий преобразователь с входным напряжением до 80 В и диапазоном рабочих температур от -55°C до +150°C от компании Linear Technology
Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»