Infineon представляет новый класс IGBT со сверхнизкими общими потерями для частот переключения от 50 Гц до 20 кГц

Новое семейство L5 основано на технологии TRENCHSTOP 5, использующей особо тонкие пластины, позволяющие получать очень низкие потери проводимости. Дополнительное снижение потерь достигается оптимизацией профиля распределения носителей заряда.

С типичным напряжением насыщения 1.05 В при 25 °C можно достичь новых уровней эффективности. Так, при замене IGBT TRENCHSTOP, предшествовавших семейству L5, на новые приборы, в тех же схемах можно повысить КПД на 0.1% при топологии NPC1 (для высоких частот коммутации), и на 0.3% при топологии NPC2 (для низких частот коммутации).

Сочетание низкого напряжения насыщения с положительным температурным коэффициентом позволяет создавать высокоэффективные устройства путем параллельного включения нескольких IGBT. Используемая при изготовлении приборов нового семейства L5 технологическая основа TRENCHSTOP 5 не только обеспечивает беспрецедентно низкие потери проводимости, но и позволяет сократить общие потери переключения до 1.6 мДж при 25 °C. Совокупность перечисленных характеристик позволит увеличить КПД, повысить надежность и сократить размеры систем в низкочастотных приложениях.

Первые приборы нового семейства IGBT L5 были выпущены в стандартных для отрасли 3-выводных корпусах TO-247. Кроме того, для приложений, требующих еще большей эффективности, Infineon предлагает L5 в инновационных 4-выводных корпусах TO-247 с дополнительным эмиттерным выводом Кельвина. По сравнению со стандартным 3-выводным корпусом, 4-выводной позволяет снизить потери переключения еще на 20%. Таким образом, L5 в сочетании с 4-выводным корпусом TO-247, обеспечивая крайне низкие потери переключения, позволяют Infineon сохранять лидирующие позиции на рынке силовых инновационных продуктов, дифференцированных по областям применения.

Доступность

Новые транзисторы семейства L5 с низким напряжением насыщения выпускаются на токи 30 А и 75 А, как одиночные, так и содержащие в общих корпусах ультрабыстрые кремниевые диоды Rapid 1 и Rapid 2. Приборы с эмиттерным выводом Кельвина в 4-выводных корпусах TO-247 будут рассчитаны на рабочие токи 75 А.

Реклама на сайте

Последние новости

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest