TRENCHSTOP™ 5 L5 — IGBT-транзисторы с образцовым значением КПД для переключателей полярности на частоте 50 Гц |
Новый класс IGBT-транзисторов с низким напряжением насыщения VCE(sat) можно встретить в источниках бесперебойного питания, солнечных инверторах и сварочных системах. Семейству приборов L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 с тонкой подложкой свойственны очень низкие потери на переключение, которые были дополнительно снижены за счёт оптимизации несущего профиля.
|
При типовом значении напряжения VCE(sat) = 1.05 В при температуре 25°C новые транзисторы позволяют увеличить КПД схемы на 0.1% в топологии NPC 1 и на 0.3% в топологии NPC 2 по сравнению с предыдущим поколением IGBT-транзисторов серии TRENCHSTOP. За счёт положительного температурного коэффициента напряжения VCE(sat) высокое значение КПД сохраняется на одном уровне, что является образцовым промышленным показателем для ключей на IGBT-транзисторах, работающих на частотах ниже 20 кГц.
Использование при производстве семейства L5 технологии TRENCHSTOP 5 приводит к несравнимо более низким потерям проводимости, а также уменьшает общие потери на переключение до величины 1.6 мДж при температуре 25°C. Первые транзисторы семейства L5 выпускались в 3-выводном корпусе промышленного стандарта TO-247. В дальнейшем для приложений с повышенными требованиями к КПД компания Infineon предложила эти приборы в 4-выводном корпусе TO-247 с Кельвин-эмиттер. Последние отличаются сниженными на 20% потерями на переключение.
Отличительные особенности:
- Низкий уровень напряжения насыщения VCE(sat): 1.05 В
- Низкие потери на переключение: 1.6 мДж при температуре 25°C и токе коллектора 30 А
- Нестабильность электрических параметров при изменении температуры в диапазоне от 25°C до 175°C: не более 2%
- Снижение потерь на переключение на 20% за счёт использования 4-выводного корпуса TO-247 с Кельвин-эмиттером
- Высокая эффективность на частоте переключения 50 Гц
- Увеличенный срок службы и высокая надёжность
- Надёжность расчёта схем благодаря термостабильности электрических параметров транзистора
Источник: www.gaw.ru | Дата публикации: 22/05/2015 |
| |
|
Реклама на сайте |
|
Последние новости |
[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019
[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!
[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл
[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?
[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!
[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest
Читать все новости >> |
|
|
|