Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

TRENCHSTOP™ 5 L5 — IGBT-транзисторы с образцовым значением КПД для переключателей полярности на частоте 50 Гц


Новый класс IGBT-транзисторов с низким напряжением насыщения VCE(sat) можно встретить в источниках бесперебойного питания, солнечных инверторах и сварочных системах. Семейству приборов L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 с тонкой подложкой свойственны очень низкие потери на переключение, которые были дополнительно снижены за счёт оптимизации несущего профиля.

При типовом значении напряжения VCE(sat) = 1.05 В при температуре 25°C новые транзисторы позволяют увеличить КПД схемы на 0.1% в топологии NPC 1 и на 0.3% в топологии NPC 2 по сравнению с предыдущим поколением IGBT-транзисторов серии TRENCHSTOP. За счёт положительного температурного коэффициента напряжения VCE(sat) высокое значение КПД сохраняется на одном уровне, что является образцовым промышленным показателем для ключей на IGBT-транзисторах, работающих на частотах ниже 20 кГц.

Использование при производстве семейства L5 технологии TRENCHSTOP 5 приводит к несравнимо более низким потерям проводимости, а также уменьшает общие потери на переключение до величины 1.6 мДж при температуре 25°C. Первые транзисторы семейства L5 выпускались в 3-выводном корпусе промышленного стандарта TO-247. В дальнейшем для приложений с повышенными требованиями к КПД компания Infineon предложила эти приборы в 4-выводном корпусе TO-247 с Кельвин-эмиттер. Последние отличаются сниженными на 20% потерями на переключение. 

Отличительные особенности:

  • Низкий уровень напряжения насыщения VCE(sat): 1.05 В
  • Низкие потери на переключение: 1.6 мДж при температуре 25°C и токе коллектора 30 А
  • Нестабильность электрических параметров при изменении температуры в диапазоне от 25°C до 175°C: не более 2%
  • Снижение потерь на переключение на 20% за счёт использования 4-выводного корпуса TO-247 с Кельвин-эмиттером
  • Высокая эффективность на частоте переключения 50 Гц
  • Увеличенный срок службы и высокая надёжность
  • Надёжность расчёта схем благодаря термостабильности электрических параметров транзистора


Источник: www.gaw.ru | Дата публикации: 22/05/2015

Предыдущая новость: SMA130 — новый трехосевой датчик ускорения для информационно-развлекательных систем от Bosch Следующая новость: SaBLE-x — интеллектуальный модуль Bluetooth LE с рабочей частотой 2.4 ГГц и встроенным прикладным процессором
Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»