Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Конденсаторы TDK CeraLink революционизируют решения для высокочастотных инверторов


Запатентованная TDK новая технология антисегнетоэлектрических конденсаторов позволила создать устройства, емкость которых увеличивается с ростом приложенного напряжения. Эта уникальная особенность делает конденсаторы CeraLink идеальным решением для снабберных приложений.

Благодаря исключительно низким значениям эквивалентной последовательной индуктивности (ESL) и эквивалентного последовательного сопротивления (ESR), конденсаторы CeraLink могут использоваться на высоких частотах переключения совместно с недорогими и более надежными полупроводниковыми приборами, например, с быстродействующими IGBT вместо MOSFET. Новейшие IGBT имеют отличное соотношение цена/качество, прежде всего, благодаря значительно более простой технологии производства, кристаллам, размеры которых нередко меньше, чем у MOSFET и высоким частотам переключения. Стоимость такого решения обычно примерно на треть меньше, чем решения на базе MOSFET. Более того, за счет снижения емкости конденсаторов, площади печатной платы, габаритов индуктивных компонентов и размеров радиаторов общая стоимость изделия может быть уменьшена более чем на 40%.

Изменение емкости конденсатора в зависимости от приложенного напряжения


При интеграции в систему конденсаторы CeraLink уменьшают риск повреждения полупроводников возникающими внутри устройства выбросами напряжения. Использование их в качестве демпфера позволяет полупроводникам постоянно оставаться в области безопасной работы.

Новое запатентованное решение

Многослойная конструкция конденсаторов, в которой недавно разработанный керамический материал объединен с медными внутренними электродами, дает очевидные преимущества как по стоимости, так и по параметрам технических решений.

Преимущества:

  • ESR, резко уменьшающееся с ростом температуры
  • Очень низкое значение ESL
  • Низкие потери в медных внутренних электродах позволяют использовать конденсаторы на более высоких частотах переключения, увеличивая скорость нарастания при больших токах
  • Могут использоваться на частотах переключения до 1 МГц и более
  • Диапазон рабочих температур, расширенный до +150 °C (соответствующий SiC/GaN приборам)
  • Низкие потери на высоких частотах
  • Поддерживают быстродействующие полупроводниковые приборы
  • Позволяют на системном уровне уменьшить габариты силовой электроники
  • Ультранизкий ток утечки, обусловленный правильно выбранным материалом
  • Снижение потерь в диэлектрике при повышении частоты
  • Выводы под пайку и для современной прессовой посадки
  • Емкость увеличивается с ростом постоянного рабочего напряжения
  • Компактный корпус с опциями для монтажа в типовые силовые модули для промышленного и автомобильного оборудования
  • Доступны специальные типы для интеграции в силовые модули (IGBT, MOSFET, SiC)

Отличительные особенности:

  • Высокая удельная емкость
  • исключительно низкие значения ESR и ESL
  • Высокая плотность тока, эффективное подавление пульсаций напряжения
  • Эффективная емкость возрастает с увеличением напряжения
  • Работают в условиях повышенных температур
  • Низкие потери на высоких частотах
  • Поддерживают быстродействующие полупроводниковые приборы
  • Обеспечивают дальнейшую миниатюризацию силовой электроники на системном уровне

Основные технические характеристики:

  • Сопротивление изоляции более 1 ГОм гарантирует низкий ток утечки, особенно при повышенных температурах
  • Очень низкое значение ESL: менее 3.5 нГ
  • Диапазон рабочих температур от –40 °C до +125 °C (до +150 °C при кратковременном воздействии) позволяет использовать конденсаторы в SiС и GaN силовых модулях 


Источник: www.rlocman.ru | Дата публикации: 16/06/2015

Предыдущая новость: Silicon Labs представляет самое энергоэффективное в мире семейство USB микроконтроллеров Следующая новость: ON Semiconductor представляет новую линейку средневольтовых N-канальных MOSFET
Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»