Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

ON Semiconductor предлагает полный комплект регуляторов напряжения для оконечных нагрузок шины DDR


Продолжая расширять свое семейство линейных LDO стабилизаторов напряжения, ON Semiconductor представила серию новых высокоэффективных устройств для поддержки памяти с удвоенной скоростью передачи данных (DDR).

Микросхемы NCP51200, NCP51400, NCP51510 и NCP51199 с встроенными силовыми MOSFET предназначены для разнообразного оборудования, такого как серверы, роутеры, смартфоны, планшеты, телевизионные приставки, принтеры, а также материнские платы ПК и ноутбуков. Доступны также отвечающие требованиям стандарта AEC−Q100 версии для устройств автоэлектроники, которые могут использоваться во встроенных GPS-навигаторах, информационно-развлекательных системах и в средствах коммуникации, основанных на Wi-Fi и Bluetooth.



Новые высококачественные LDO стабилизаторы предназначены для питания оконечных нагрузок шин стандартов DDR1, DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4 и LPDDR4 напряжением от 500 мВ. При использовании с памятью типов DDR4 и LPDDR4 каждый прибор может служить активным источником втекающего или вытекающего тока до 2.0 А. Микросхема NCP51145 рассчитана на шины памяти DDR4 и LPDDR4 и токи до 1.2 А.

Максимальный втекающий и вытекающий ток микросхем NCP/NCV51199 при работе с памятью DDR2 и DDR3 равен 2.0 А и 1.5 А, соответственно, в то время как NCP51200 и NCP51510 рассчитаны на пиковые значения 3 А и поддерживают удаленное измерение токов. В эти предназначенные для согласования шин DDR высокоинтегрированные LDO заложены также функции мягкого запуска, защитного отключения при перегреве кристалла и, для некоторых устройств, механизмы блокировки при пониженном напряжении. 

 

NCP51200

 

В каждом приборе содержится быстродействующий операционный усилитель, со сверхмалым временем реакции на скачки входного напряжения и тока нагрузки. Совместимость всех перечисленных устройств с памятью DDR1 и DDR2 обеспечивает удобство модернизации более старых модулей DDR. Стандартный диапазон рабочих температур микросхем составляет –40 °C … +125 °C, а для схем автомобильной электроники предлагается прибор с температурным диапазоном, расширенным до +150 °C.

Корпуса и цены

15 микросхем семейства NCP51xxx поставляются в корпусах трех типов: 8-выводном SOIC-EP, 8-выводном DFN размером 2×2 мм и 10-выводном DFN с размерами 3×3 мм. Цены на новые приборы находятся в диапазоне от $0.07 до $0.195 за штуку при объеме заказа не менее 3000 микросхем. 


Источник: www.rlocman.ru | Дата публикации: 25/10/2015

Предыдущая новость: ZSSC4151 — новая микросхема преобразователя сигналов автомобильных датчиков от ZMDI Следующая новость: DMN3027LFG — 30-вольтовый MOSFET компании Diodes быстро и безопасно разрядит батареи конденсаторов на шинах питания ПЛИС
Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»